IGBT модулі GD820HTX75P6HFB Starpower

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

820

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =75 o Ц

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1640

А

P D

Максималды қуат тарату ация @ T F =75 o Ц T ж =175 o Ц

751

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

750

V

I БФ

Коллекторды іске асыру рент

820

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1640

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.25

1.50

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

1.35

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =175 o Ц

1.40

I Ц =820A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.55

I Ц =820A,V ГЭ =15В, T ж =175 o Ц

1.90

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.0

5.7

7.0

V

I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =175 o Ц

3.5

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

42.1

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.80

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.18

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V CE =400V,I Ц =450А, В ГЭ =-8...+15В

3.01

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω, L S =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =25 o Ц

126

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

639

н

t f

Күз мезгілі

149

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.3

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

25.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω, L S =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =150 o Ц

136

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

715

н

t f

Күз мезгілі

221

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

31.0

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω, L S =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =175 o Ц

138

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

739

н

t f

Күз мезгілі

227

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

24.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.6

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤6μс, V ГЭ =15В,

5100

А

T ж =25 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

t P ≤3μс, V ГЭ =15В,

T ж =175 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

3800

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.40

1.65

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.35

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 75o Ц

1.30

I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.70

I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=7070А/мкс,В ГЭ =-8V, L S =24 nH ,T ж =25 o Ц

16.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

254

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.03

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6150А/мкс,В ГЭ =-8V, L S =24 nH ,T ж =150 o Ц

36.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

320

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.49

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6010А/мкс,В ГЭ =-8V, L S =24 nH ,T ж =175 o Ц

40.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

338

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

10.5

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

64

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40 o Ц

T негізгі тақта 40o Ц

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш -дәйексіз -Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

0.116 0.175

0.133 0.200

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g