GD900HFX120P1SA,IGBT модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

1522

900

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

5.24

кВт

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

900

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=900A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=900A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=900A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=22.5mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.63

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

93.2

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

2.61

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ﹍+15В

6.99

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R G=1.6Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

214

н

t r

Күтерілу уақыты

150

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

721

н

t f

Күз мезгілі

206

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

76

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

128

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R G=1.6Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =125o C

235

н

t r

Күтерілу уақыты

161

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

824

н

t f

Күз мезгілі

412

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

107

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

165

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R G=1.6Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =150o C

235

н

t r

Күтерілу уақыты

161

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

876

н

t f

Күз мезгілі

464

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

112

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

180

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

3600

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =900A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.90

2.25

V

IF =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.85

IF =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.80

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25o C

86

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

475

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.1

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15В T ж = 125o C

143

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

618

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

71.3

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15В T ж = 150o C

185

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

665

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

75.1

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2—

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

18

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.30

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

28.6

51.9

K/kW

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

14.0

25.3

4.5

K/kW

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М8 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

825

g