Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200В 900А.
Сипаттамалар
-
Төмен V CE (тұрып ) Тренч IGBT технология
-
10 мкм қысқа тұйықталу қабілеті лық
-
V CE (тұрып ) -мен оң температура коеффициент
-
Максимум байланыс температурасы 175o Ц
-
Төмен индуктивтілік іс
- DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы
-
Жоғары қуатты және жылу циклін өткізуге қабілетті лық
Үлгілік Қолданбалар
- Жоғары қуат конвертері
- Күн энергиясы
- Гибридтік және электрлік көлік
Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц
@ Т Ц = 100o Ц
|
1522
900
|
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1800 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық ж =175 o Ц |
5.24 |
кВт |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
900 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1800 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы Диапазон |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты |
4000 |
V |
IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке
Қанығу кернеуі
|
I Ц =900A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
I Ц =900A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц |
|
1.95 |
|
I Ц =900A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц |
|
2.00 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =22.5 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған
Жүк
|
V CE = V CES ,V ГЭ =0В,
T ж =25 o Ц
|
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
0.63 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц,
V ГЭ =0В
|
|
93.2 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру
Қуаттылық
|
|
2.61 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15 ﹍+15В |
|
6.99 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =900A, R G =1.6Ω,
V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц
|
|
214 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
150 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
721 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
206 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
76 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
128 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =900A, R G =1.6Ω,
V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц
|
|
235 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
161 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
824 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
412 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
107 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
165 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =900A, R G =1.6Ω,
V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц
|
|
235 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
161 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
876 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
464 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
112 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
180 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,
T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
3600
|
|
А
|
Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F
|
Алға қарай диод
Кернеу
|
I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.90 |
2.25 |
V
|
I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц |
|
1.85 |
|
I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц |
|
1.80 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =900A,
-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц
|
|
86 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
475 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
36.1 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =900A,
-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15В T ж = 125o Ц
|
|
143 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
618 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
71.3 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =900A,
-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15В T ж = 150o Ц
|
|
185 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
665 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
75.1 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Күш
Диссипация
|
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
|
0.30 |
|
mΩ |
R тЖК |
Қатысу (IGB бойынша) Т)
Құрамына байланысты (D-ға) йод)
|
|
|
28.6
51.9
|
K/kW |
|
R тХ
|
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)
Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)
|
|
14.0
25.3
4.5
|
|
K/kW |
|
М
|
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М8 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10
6.0
|
Н.М
|
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
825 |
|
g |
EN
