GD200CEX120C8SN,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Қайталанатын Шұңқыры Жинақтаушы Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

400

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1293

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодтің үзілмейтін алдыңғы токы нент

200

A

IҚРМ

Қайталанатын Шұңқыры Алға Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=200A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.05

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=8.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.6

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.52

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.40

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =±15В, T vj =25o C

140

н

t r

Күтерілу уақыты

31

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

239

н

t f

Күз мезгілі

188

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

13.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =±15В, T vj =125o C

146

н

t r

Күтерілу уақыты

36

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

284

н

t f

Күз мезгілі

284

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

18.9

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =±15В, T vj =150o C

148

н

t r

Күтерілу уақыты

37

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

294

н

t f

Күз мезгілі

303

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

21.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

19.8

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =200A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =200A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5710А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-15V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

220

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4740А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-15V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

209

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

12.9

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4400А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-15V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

204

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

14.6

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.116 0.185

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.150 0.239 0.046

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, Болт M5

2.5 2.5

3.5 3.5

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

200

g