GD200CEX120C8SN,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

363

200

А

I CRM

Қайталанатын Шұңқыры Жинақтаушы Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

400

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

1293

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодтің үзілмейтін алдыңғы токы нент

200

А

I ҚРМ

Қайталанатын Шұңқыры Алға Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

400

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.75

2.20

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.00

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.05

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =8.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.6

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.52

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.40

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G =2.0Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =±15В, T vj =25 o Ц

140

н

t r

Күтерілу уақыты

31

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

239

н

t f

Күз мезгілі

188

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

13.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G =2.0Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =±15В, T vj =125 o Ц

146

н

t r

Күтерілу уақыты

36

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

284

н

t f

Күз мезгілі

284

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.4

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

18.9

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G =2.0Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =±15В, T vj =150 o Ц

148

н

t r

Күтерілу уақыты

37

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

294

н

t f

Күз мезгілі

303

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

21.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

19.8

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.85

2.30

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.90

I F =200A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5710А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-15V, T vj =25 o Ц

20.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

220

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4740А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-15V, T vj =125 o Ц

34.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

209

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

12.9

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4400А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-15V, T vj =150 o Ц

38.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

204

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

14.6

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.116 0.185

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.150 0.239 0.046

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, Болт M5

2.5 2.5

3.5 3.5

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

200

g