GD75PFX170C6SG,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

150

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

559

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

75

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

150

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

2000

V

IO

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

75

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj =25o C @ Т vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t-мәні,t p =10мс @ T vj =25o C @ Т vj =150o C

10368

7272

A2с

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Максималды жылық температура (трансформатор) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=3.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

8.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

9.03

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.22

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.71

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=75А, R G=6.8Ω,V ГЭ =±15В, LС =46nH ,T vj =25o C

236

н

t r

Күтерілу уақыты

42

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

356

н

t f

Күз мезгілі

363

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.7

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=75А, R G=6.8Ω,V ГЭ =±15В, LС =46nH ,T vj =125o C

252

н

t r

Күтерілу уақыты

48

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

420

н

t f

Күз мезгілі

485

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

27.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.6

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=75А, R G=6.8Ω,V ГЭ =±15В, LС =46nH ,T vj =150o C

275

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

432

н

t f

Күз мезгілі

524

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

27.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

17.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V КЕМ ≤1700В

300

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=1290A/μs,V ГЭ =-15В LС =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

84

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.44

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=1100A/μs,V ГЭ =-15В LС =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

87

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.1

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=1060A/μs,V ГЭ =-15В LС =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

97

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

19.2

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IC=75А, T vj =150o C

0.95

V

IR

Кері ток

T vj =150o C,V R =2000V

3.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Жағдай (perIGBT —инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

0.268 0.481 0.289

К/W

R тХ

Жағдай —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.106 0.190 0.114 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g