GD75PFX170C6SG, IGBT Модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1700V 75А.

Қасиеттер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT-инвертор

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1700	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц	139 75	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	150	А
P D	Максималды қуаттылық vj =175 o Ц	559	W

Диод инверторы

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1700	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	75	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	150	А

Диод-прямозаменялік

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	2000	V
I O	Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс	75	А
I FSM	Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj = 25o Ц @ Т vj =150 o Ц	1440 1206	А
I 2t	I 2t-мәні,t p =10мс @ T vj =25 o Ц @ Т vj =150 o Ц	10368 7272	А 2с

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T vjmax	Максималды жылық температура (трансформатор) Максималды жылық температура (прямозаменялік)	175 150	o Ц
T vjop	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	4000	V

IGBT -инвертор Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =25 o Ц		1.85	2.20	V
		I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =125 o Ц		2.25
		I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =150 o Ц		2.35
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =3.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц			5.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			8.5		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		9.03		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.22		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15 ...+15В		0.71		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =75А, R G =6.8Ω,V ГЭ =±15В, L С =46 nH ,T vj =25 o Ц		236		н
t r	Күтерілу уақыты			42		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			356		н
t f	Күз мезгілі			363		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			17.3		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			11.7		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =75А, R G =6.8Ω,V ГЭ =±15В, L С =46 nH ,T vj =125 o Ц		252		н
t r	Күтерілу уақыты			48		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			420		н
t f	Күз мезгілі			485		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			27.1		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			16.6		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =75А, R G =6.8Ω,V ГЭ =±15В, L С =46 nH ,T vj =150 o Ц		275		н
t r	Күтерілу уақыты			50		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			432		н
t f	Күз мезгілі			524		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			27.9		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			17.7		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц ,V CC =1000V , V КЕМ ≤1700В		300		А

Диод -инвертор Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц		1.80	2.25	V
		I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =12 5o Ц		1.90
		I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =15 0o Ц		1.95
Q r	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =75А, -di/dt=1290A/μs,V ГЭ =-15В L С =46 nH ,T vj =25 o Ц		10.3		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			84		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			7.44		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =75А, -di/dt=1100A/μs,V ГЭ =- 15В L С =46 nH ,T vj =125 o Ц		20.5		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			87		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			16.1		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =75А, -di/dt=1060A/μs,V ГЭ =-15В L С =46 nH ,T vj =150 o Ц		22.5		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			97		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			19.2		мЖ

Диод -түзеткіш Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I Ц =75А, T vj =150 o Ц		0.95		V
I R	Кері ток	T vj =150 o Ц ,V R =2000V			3.0	mА

НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
R тЖК	Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT -инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)			0.268 0.481 0.289	К/W
R тХ	Кейс -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT -инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)		0.106 0.190 0.114 0.009		К/W
М	Монументтік момент, Шраф:M5	3.0		6.0	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		300		g