MTG150,MTY150,Тирристорлық модульдер ((Ақшауланбаған түр)),TECHSEM

VRRM,VDRM

Түрі & Сызба

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

МФx150-08-213F4 МФx150-10-213F4 МФx150-12-213F4 МФx150-14-213F4 МФx150-16-213F4 МФx150-18-213F4

MTx - кез келген t лық MTG, ҚТЖ

MFx - кез келген ty лық МФГ, МҚЖ

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

Мәні

Бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180。жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=90 ℃

125

150

А

IT(RMS)

RMS қосу күйіндегі ток

236

А

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

vDRM және VRRM кезінде

125

12

mА

ITSM

Пик қосу күйіндегі ток

VR=60%VRRM, t=10ms жартылай синус

125

3.9

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

125

76

10³А ²s

VTO

Төменгі кернеу

125

0.80

V

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

1.74

mΩ

VTM

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM=450A

25

1.67

V

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы

Қақпа көзі 1.5A

tr ≤0.5μs Қайталау

125

100

А/μс

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mА

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.8

2.5

V

IH

Ұстап тұратын ток

10

180

mА

IL

Латчинг ток

1000

mА

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де ° синус, бір жағы бір сыныққа салқындатылған

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

180-де ° синус, бір жағы бір сыныққа салқындатылған

0.10

℃ /W

Fm

Терминал байланыс моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

125

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

℃

Wt

Салмағы

280

g

Нысан

213F4