GD600HFX120C2SA ,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20 ±30

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

3000

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.25

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

60.8

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.84

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

4.64

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,2Ω, LС =34nH , V ГЭ =±15В,Т ж =25o C

339

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

468

н

t f

Күз мезгілі

168

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

63.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

56.4

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,2Ω, LС =34nH , V ГЭ =±15В,Т ж =125o C

418

н

t r

Күтерілу уақыты

135

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t f

Күз мезгілі

269

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

108

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.3

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,2Ω, LС =34nH , V ГЭ =±15В,Т ж =150o C

446

н

t r

Күтерілу уақыты

151

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

602

н

t f

Күз мезгілі

281

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

123

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

78.2

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

С r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=5210A⁄μс,V ГЭ =-15V, LС =34nH ,T ж =25o C

49.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

300

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

24.1

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=3490A⁄μс,V ГЭ =-15V, LС =34nH ,T ж =125o C

85.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

314

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

33.8

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=3080A⁄μс,V ГЭ =-15V, LС =34nH ,T ж =150o C

102

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

318

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.8

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Жағдай (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.050 0.080

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.033 0.052 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g