GD600HFX120C2SA ,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20 ±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

925

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

3000

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.65

2.00

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.95

I Ц =600A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.25

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

60.8

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.84

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

4.64

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R G =1,2Ω, L S = 34 nH , V ГЭ =±15В,Т ж =25 o Ц

339

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

468

н

t f

Күз мезгілі

168

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

63.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

56.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R G =1,2Ω, L S = 34 nH , V ГЭ =±15В,Т ж =125 o Ц

418

н

t r

Күтерілу уақыты

135

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t f

Күз мезгілі

269

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

108

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.3

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R G =1,2Ω, L S = 34 nH , V ГЭ =±15В,Т ж =150 o Ц

446

н

t r

Күтерілу уақыты

151

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

602

н

t f

Күз мезгілі

281

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

123

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

78.2

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.85

2.30

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

1.90

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=5210A⁄μс,V ГЭ =-15V, L S = 34 nH ,T ж =25 o Ц

49.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

300

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

24.1

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=3490A⁄μс,V ГЭ =-15V, L S = 34 nH ,T ж =125 o Ц

85.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

314

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

33.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=3080A⁄μс,V ГЭ =-15V, L S = 34 nH ,T ж =150 o Ц

102

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

318

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.8

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.050 0.080

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.033 0.052 0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g