GD400HTX120P4SA,IGBT Модуль,STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 400А.

Қасиеттер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
Изолированный медный пинфин базовая плита с использованием технологии DBC

Типілік қолданулар

Гибридтік және электрлік көлік
Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I КН	Коллекторды іске асыру рент	400	А
I Ц	Коллектор токы @ T F =25 o C @ T F =75 o Ц	400 300	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	800	А
P D	Максималды қуаттылық ж =175 o Ц	1500	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1200	V
I БФ	Реализованный Forward Cu рент	400	А
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	300	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	800	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	o Ц
T жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	2500	V

IGBT Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц		1.50	1.95	V
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц		1.60
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц		1.65
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =16.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц	5.3	5.8	6.3	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			0.5		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		41.4		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		1.16		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =15В		3.11		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =500V,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =25 nH ,T ж =25 o Ц		74		н
t r	Күтерілу уақыты			31		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			352		н
t f	Күз мезгілі			255		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			4.01		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			22.9		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =500V,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =125 o Ц		81		н
t r	Күтерілу уақыты			34		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			411		н
t f	Күз мезгілі			397		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			7.40		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			32.2		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =500V,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =150 o Ц		82		н
t r	Күтерілу уақыты			36		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			425		н
t f	Күз мезгілі			434		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			8.90		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			35.2		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		1600		А

Диод Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц		1.70	2.15	V
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц		1.70
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц		1.70
Q r	Алынған айыппұл	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=10600A⁄μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =25 o Ц		15.0		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			391		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			9.40		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =500V,I F =300A, -di⁄dt=9600A⁄μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =125 o Ц		24.0		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			457		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			18.4		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =500V,I F =300A, -di/dt=9500A/μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =150 o Ц		29.0		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			488		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			23.2		мЖ

НТК Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
△ p	Салқындату контурындағы қысымның төмендеуі қайырма △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ;T F =25 o Ц ;Салқындату Сұйық=50% Су/50% Этиленгликоль		100		мбар
p	Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма			2.5	бар
L CE	Айналадағы индуктивтілік		14		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.80		mΩ
R тЖЖ	Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT ) Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од)			0.100 0.125	К/W
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 6.0	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		1250		g