GD400HTX120P4SA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

400

A

IC

Коллектор токы @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1500

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IБФ

Реализованный Forward Cu рент

400

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.60

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

1.65

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=16.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

41.4

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.16

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =15В

3.11

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =25nH ,T ж =25o C

74

н

t r

Күтерілу уақыты

31

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t f

Күз мезгілі

255

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

4.01

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.9

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =125o C

81

н

t r

Күтерілу уақыты

34

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

411

н

t f

Күз мезгілі

397

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.40

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =150o C

82

н

t r

Күтерілу уақыты

36

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

425

н

t f

Күз мезгілі

434

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.90

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

35.2

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.70

2.15

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.70

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.70

Qr

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di⁄dt=10600A⁄μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =25o C

15.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

391

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.40

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di⁄dt=9600A⁄μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =125o C

24.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

457

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =150o C

29.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

488

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

23.2

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

△p

Салқындату контурындағы қысымның төмендеуі қайырма

△V/ △t=10,0 dm 3/мИН ;T F =25o C;Салқындату Сұйық=50% Су/50% Этиленгликоль

100

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

2.5

бар

LCE

Айналадағы индуктивтілік

14

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.80

mΩ

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT ) Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од)

0.100 0.125

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

1250

g