1200В 200А
Қысқаша таныстыру
IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.
Ertelikter
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер T C=25o C егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
IC |
Коллектор токы @ T C=25o C @ Т C=65o C |
262 200 |
A |
IСм |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
400 |
A |
PD |
Максималды қуаттылық ж =150o C |
1315 |
W |
Диод
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
V |
IF |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
200 |
A |
IFm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
400 |
A |
Модуль
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
150 |
o C |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o C |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы Диапазон |
-40-дан +125-ге дейін |
o C |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V |
IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =125o C |
|
3.80 |
|
|||
V ГЭ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
IC=2.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
ICES |
Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк |
V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C |
|
|
5.0 |
mА |
IГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
1.3 |
|
ω |
Cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В |
|
13.0 |
|
нФ |
Cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
0.85 |
|
нФ |
|
С G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =- 15...+15В |
|
2.10 |
|
μC |
t d (қосулы ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=200A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C |
|
87 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
40 |
|
н |
|
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
451 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
63 |
|
н |
|
Eқосулы |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
6.8 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
11.9 |
|
мЖ |
|
t d (қосулы ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=200A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C |
|
88 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
44 |
|
н |
|
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
483 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
78 |
|
н |
|
Eқосулы |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
11.4 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
13.5 |
|
мЖ |
|
|
ISC |
SC деректері |
t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, T ж =125o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В |
|
1300 |
|
A |
Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C |
|
2.00 |
|
|||
С r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C |
|
13.3 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
236 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
6.6 |
|
мЖ |
|
С r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C |
|
23.0 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
269 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
10.5 |
|
мЖ |
Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R тЖК |
Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод) |
|
|
0.095 0.202 |
К/W |
|
R тХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
0.135 0.288 0.046 |
|
К/W |
Мин |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
200 |
|
g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
