Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200В 450A.
Сипаттамалар
-
Төмен V CE (тұрып ) Тренч IGBT технология
-
10 мкм қысқа тұйықталу қабілеті лық
-
V CE (тұрып ) -мен оң температура коеффициент
-
Максимум байланыс температурасы 175o Ц
-
Төмен индуктивтілік іс
-
Жылдам & жұмсақ кері қалпына келтіру анти-параллель FWD
- DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы
Үлгілік Қолданбалар
-
Гибридті және электр жәнде автокөлік
-
Моторға арналған инвертор d рев
-
Тоқтатылмас қуат r таяу
Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц
@ Т Ц = 100o Ц
|
680
450
|
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
900 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық ж =175 o Ц |
2173 |
W |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
450 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
900 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы Диапазон |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке
Қанығу кернеуі
|
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц |
|
1.95 |
|
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц |
|
2.00 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц = 11.3mA,V CE =V ГЭ ,T ж =25 o Ц |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған
Жүк
|
V CE = V CES ,V ГЭ =0В,
T ж =25 o Ц
|
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
0.7 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц,
V ГЭ =0В
|
|
46.6 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру
Қуаттылық
|
|
1.31 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =- 15...+15В |
|
3.50 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =450А, R G = 1.3Ω,
V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц
|
|
203 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
64 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
491 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
79 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
16.1 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
38.0 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =450А, R G = 1.3Ω,
V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц
|
|
235 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
75 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
581 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
109 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
27.8 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
55.5 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =450А, R G = 1.3Ω,
V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц
|
|
235 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
75 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
621 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
119 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
30.5 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
61.5 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,
T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
1800
|
|
А
|
Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F
|
Алға қарай диод
Кернеу
|
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц |
|
1.90 |
|
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц |
|
1.95 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =450А,
-di/dt=6600A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж =25 o Ц
|
|
55.2 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
518 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
26.0 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =450А,
-di/dt=6600A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж = 125o Ц
|
|
106 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
633 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
47.5 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =450А,
-di/dt=6600A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж = 150o Ц
|
|
121 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
661 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
53.9 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Күш
Диссипация
|
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
1.10 |
|
mΩ |
R тЖК |
Қатысу (IGB бойынша) Т)
Джункция-дан-Кейс (әр Di од)
|
|
|
0.069
0.108
|
К/W |
|
R тХ
|
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)
Корпус-радиатор (pe r Диод)
Корпус-радиатор (per M одуль)
|
|
0.030
0.046
0.009
|
|
К/W |
М |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
