1200В 720А Пакет:P6
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат .1200V 720А.
Қасиеттері
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25o C егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәндер |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
ICN |
Коллекторды іске асыру рент |
720 |
A |
IC |
Коллектор токы @ T F =65o C |
600 |
A |
IСм |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1440 |
A |
PD |
Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T vj =175o C |
1204 |
W |
Диод
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәндер |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын шың кері кернеу гЭ |
1200 |
V |
IБФ |
Коллекторды іске асыру рент |
720 |
A |
IF |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
600 |
A |
IFm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1440 |
A |
Модуль
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
T vjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o C |
|
T vjop |
Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз 10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен |
-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін |
o C |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o C |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН |
3000 |
V |
IGBT Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =25o C |
|
1.50 |
|
V |
IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =150o C |
|
1.80 |
|
|||
IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =175o C |
|
1.85 |
|
|||
IC=720А,V ГЭ =15В, T vj =25o C |
|
1.60 |
|
|||
IC=720А,V ГЭ =15В, T vj =175o C |
|
2.05 |
|
|||
V ГЭ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
IC=15.6mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C |
|
6.0 |
|
V |
ICES |
Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк |
V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mА |
IГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпа кедергісі |
|
|
1.67 |
|
ω |
Cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
48.7 |
|
нФ |
Cлық |
Шығарылымдық сыйымдылық |
|
1.55 |
|
нФ |
|
Cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
0.26 |
|
нФ |
|
QG |
Қақпалық төлем |
V CE =800В,I C =600А, V ГЭ =-8...+15В |
|
3.52 |
|
μC |
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =800В,I C=600А, R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, LСек =24нГн, V ГЭ =-8V/+15V, T vj =25o C |
|
208 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
65 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
505 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
104 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
77.7 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
62.2 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =800В,I C=600А, R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, LСек =24нГн, V ГЭ =-8V/+15V, T vj =150o C |
|
225 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
75 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
567 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
191 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
110 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
83.4 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =800В,I C=600А, R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, LСек =24нГн, V ГЭ =-8V/+15V, T vj =175o C |
|
226 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
77 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
583 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
203 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
118 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
85.9 |
|
мЖ |
|
ISC |
SC деректері |
t P≤4мс, V ГЭ =15В, T vj =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В |
|
2600 |
|
A |
Диод Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C |
|
1.95 |
|
V |
IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C |
|
1.95 |
|
|||
IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C |
|
1.90 |
|
|||
IF =720А,V ГЭ =0В,Т vj =25o C |
|
2.05 |
|
|||
IF =720А,V ГЭ =0В,Т vj =175o C |
|
2.05 |
|
|||
Qr |
Алынған айыппұл |
V R =800В,I F =600А, -ди/дт=8281А/мс, L Сек =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =25o C |
|
44.3 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
346 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
16.2 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V R =800В,I F =600А, -ди/дт=6954А/мкс, L Сек =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =150o C |
|
73.4 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
385 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
27.8 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V R =800В,I F =600А, -ди/дт=6679А/мкс, L Сек =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =175o C |
|
80.7 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
392 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
30.7 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T C=100 o Cр 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
LCE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
8 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
p |
Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма T негізгі тақта <40o C T негізгі тақта 40o C (относительное басық) |
|
|
2.5 2.0 |
бар |
|
R тЖЖ |
Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C |
|
0.072 0.104 |
0.083 0.120 |
К/W |
Мин |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
750 |
|
g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
