GD720HTA120P6HLT,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

720

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =65 o Ц

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1440

А

P D

Максималды қуат тарату ация @ T F =75 o Ц T vj =175 o Ц

1204

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

1200

V

I БФ

Коллекторды іске асыру рент

720

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1440

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

3000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.95

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.95

I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц

1.90

I F =720А,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

2.05

I F =720А,V ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц

2.05

Q r

Алынған айыппұл

V R =800В,I F =600А,

-ди/дт=8281А/мс, L S =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =25 o Ц

44.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

346

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.2

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =800В,I F =600А,

-ди/дт=6954А/мкс, L S =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =150 o Ц

73.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

385

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

27.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =800В,I F =600А,

-ди/дт=6679А/мкс, L S =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =175 o Ц

80.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

392

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

30.7

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40 o Ц

T негізгі тақта 40o Ц

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш -дәйексіз -Салқындату Сұйық (perIGBT )Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од) △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

0.072 0.104

0.083 0.120

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g