Y50KFG,არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებელი

Გამოცდის პირობები

T ჯ (℃)

Ღირებულება

Ერთეული

Წუთი

Ტიპი

Მაქს.

IT (AV )

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz Ორმხრივი გაგრილება,

T C=55℃

125

1200

A

T C=70℃

125

1000

A

V DRM

Განმეორებადი პიკი გამორთული მდგომარეობის ძაბვა

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Განმეორებადი პიკი უკუქცევითი ძაბვა

1000

2500

IDRM /IRRM

Განმეორებადი პიკური დენი

v-ზე DRM /VRRM

125

80

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა V Რ =0.6V RRM

125

16

kA

I2t

I2t შესამცირებლად ფუზირება კოორდინაცია

1280

103A2ს

V -დან

Საფეხური ძაბვა

125

1.55

V

რ T

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.40

mΩ

V TM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM =3000A, F=24kN

20≤tq ≤35

25

2.80

V

36≤tq ≤60

2.60

V

61≤tq ≤75

2.40

V

dv/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე გამორთულ მდგომარეობაში ვოლტი

V Dm =0.67V DRM

125

1000

V/μS

di/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე ჩართული მდგომარეობაში მიმდინარე (არადამეორებელი)

V Dm = 67% V DRM -დან 1600A,

Კარიბჭის პულსი t რ ≤0.5μs IGM =1.5A

125

1500

A/μS

Კითხვა rr

Აღდგენის გადასახადი

ITM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V Რ =100 ვოლტი

125

750

µC

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM =1000A ,tp=4000µs, V Რ =100 ვოლტი dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

100

20

75

µs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

V A=12V, IA=1A

25

40

300

mA

V GT

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

3.0

V

IᲰ

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

500

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

500

mA

V GD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

V Dm =67%V DRM

125

0.3

V

Რ th(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა Ჯუნქციისგან კორპუსამდე

ორმხრივი გაგრილებული Კლამპირების ძალა 24kN

0.020

℃ /W

Რ th(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსი სითბოს გამტარებელი

0.005

F მ

Მონტაჟის ძალა

19

26

kN

T vj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

℃

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

℃

W t

Წონა

440

g

Კონტური

KT50cT