Ყველა კატეგორია

Სწრაფი გამორთვა

Სწრაფი გამორთვა

Მთავარი გვერდი /  Პროდუქტები /  Კაფსულის ტიპის მოწყობილობა /  Სწრაფი გამორთვა

Y70KFE, არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

Ნაწილების ნომერი Y70KFE-KT60cT

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y70KFE-KT60cT
Appurtenance:

Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ

  • Შესავალი
Შესავალი

I T(AV)

2500

V DRM

800V~ 2000V

V RRM

1000V~ 1800V

t q

15~75µs

Მახასიათებლები

  • Ინტერდიჯიტირებული ამპლიფიცირებელი კარები
  • Სწრაფი ჩართვა და მაღალი di/dt
  • Დაბალი გადასვლის დანაკარგები

Ტიპიური გამოყენებები

  • Ინდუქციური გათბობა
  • Ელექტრონული შედუღების აპარატები
  • Თვითკომუტირებული ინვერტორები

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=55 °C

125

2500

VDRM

Განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

800

2000

V

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1000

1800

V

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

200

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

29

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

4205

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.10

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.13

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=4000A, F=32kN

15≤tq≤28

25

2.20

V

29≤tq≤50

2.00

V

51≤tq≤75

1.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე ჩართვის მიმდინარე (არადამეორებითი)

VDM= 67%VDRM,

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

15

75

μs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინი, ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 32kN

0.012

C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.003

FM

Მონტაჟის ძალა

30

40

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

130

°C

Wt

Წონა

880

g

Კონტური

KT60cT

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Შეადგინეთ ციფრი

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000