MDS150,სამფაზო გამწესების ხიდის მოდული

VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

MDS150-06-234H5

MDS150-08-234H5

MDS150-10-234H5

MDS150-12-234H5

MDS150-14-234H5

MDS150-16-234H5

MDS150-18-234H5

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IO

Ერთდროული გამშვები დენი

Სამფაზო სრული ტალღის გამწესებელი წრე, TC= 100°C

150

150

Ა

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

150

12

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0

150

1.3

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

8.45

103A2s

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0

45

1.7

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

14.45

103A2s

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

0.75

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

2.4

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM= 150A

25

1.40

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთპიროვნულად გაგრილებული, საერთო რაოდენობით

0.14

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთპიროვნულად გაგრილებული, საერთო რაოდენობით

0.07

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

240

g

Კონტური

234H5