MZ250, სწრაფი აღდგენის დიოდის მოდული, TECHSEM

VRRM

Ტიპი და კონტური

2000 ვოლტი

2200 ვოლტი

2500 ვოლტი

2800 ვოლტი

3000V

MZ250-20-417F2

MZ250-22-417F2

MZ250-25-417F2

MZ250-28-417F2

MZ250-30-417F2

Სიმბოლო

CHARAC TERISTIC

Გამოცდის პირობები

Tj(°C)

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთმხრივი გაგრილება, TC=85°C

140

250

Ა

IF(RMS)

RMS წინასწარი დენი

392

Ა

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

140

50

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

140

8

kA

I ²t

I ²დრო ფუზირების კოორდინაციისთვის

320

10³Ა ²s

VFO

Საფეხური ძაბვა

140

1.85

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.50

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=750A

25

2.67

V

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.065

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.030

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M10)

10

12

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

140

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

770

g

Კონტური

417F2