Ყველა კატეგორია

Შედუღების თირისტორი/რექტიფიკატორის მოდული

Შედუღების თირისტორი/რექტიფიკატორის მოდული

Მთავარი გვერდი /  Პროდუქტები /  Თირისტორი/დიოდის მოდული /  Შედუღების თირისტორი/რექტიფიკატორის მოდული

MTC120, შედუღების თირისტორის მართვის მოდული, ჰაერის გაგრილება

120A,800V~1800V, 229H3/229H3B

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTC120
Appurtenance:

Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ

  • Შესავალი
  • Კონტური
  • Ექვივალენტური სქემა
Შესავალი

Მოკლე შესავალი

Შედუღების თირისტორის მოდული ,M TC120 120A, Ჰაერის გაგრილება ,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

MTC120-06-224H3/224H3B

MTC120-08-224H3/224H3B

MTC120-10-224H3/224H3B

MTC120-12-224H3/224H3B

MTC120-14-224H3/224H3B

MTC120-16-224H3/224H3B

MTC120-18-224H3/224H3B

Მახასიათებლები

  • Იზოლირებული მონტაჟის ბაზა 3000V~
  • Სოლდერის შეერთების ტექნოლოგია გაზრდილი ენერგიის ციკლის შესაძლებლობა
  • Სივრცისა და წონის დაზოგვა

Ტიპიური გამოყენებები

  • Მუდმივი დენის მქონე ძრავები
  • Სხვადასხვა რექტიფიკატორები
  • DC კვება PWM ინვერტორისთვის

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სიუნუს ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილებული, Tc=85 °C

125

120

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

188

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

20

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

1.9

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

18.05

1032s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.73

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

2.03

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=360A

25

1.85

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.6

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

250

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.25

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.15

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Თერმული კავშირი ტორქი (M5)

2.5

4.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

100

g

Კონტური

224H3 224H3B

Კონტური

Ექვივალენტური სქემა

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Შეადგინეთ ციფრი

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000