GD2400SGX170C4S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=100o C

2400

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

4800

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

15.8

კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

2400

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

4800

A

Მე FSM

Გამოსწორების დახვეწის მიმართვა V Რ =0V,T p =10ms, @T ჯ =25o C @T ჯ =150o C

18.65 15.25

kA

Მე 2t

Მე 2t-მნიშვნელობა,V Რ =0V,T p =10m s,T ჯ =25o CᲛე 2t-მნიშვნელობა,V Რ =0V,T p =10ms ,t ჯ =150o C

1739

1162

kA2წმ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=2400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Მე C=2400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Მე C=2400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=96.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.6

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

285

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

7.13

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

23.5

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=2400A, Რ Გ =0.82Ω, LᲬმ =32nH ,V Გენერალური საწარმოები =-9V/+15V,

T ჯ =25o C

609

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

232

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1676

n

t f

Შემოდგომის დრო

192

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

784

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

785

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=2400A, Რ Გ =0.82Ω, LᲬმ =32nH ,V Გენერალური საწარმოები =-9V/+15V,

T ჯ =125o C

732

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

280

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

2171

n

t f

Შემოდგომის დრო

243

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

1350

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

1083

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=2400A, Რ Გ =0.82Ω, LᲬმ =32nH ,V Გენერალური საწარმოები =-9V/+15V,

T ჯ =150o C

772

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

298

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

2294

n

t f

Შემოდგომის დრო

298

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

1533

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

1126

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

10.5

kA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =2400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =2400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Მე F =2400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =2400A,

-დი/დტ=9570A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, LᲬმ =32nH ,T ჯ =25o C

243

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1656

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

274

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =2400A,

-დი/დტ=7500A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, LᲬმ =32nH ,T ჯ =125o C

425

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1692

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

438

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =2400A,

-დი/დტ=6990A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, LᲬმ =32nH ,T ჯ =150o C

534

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1809

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

563

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

6.0

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.10

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

9.5 15.8

K/kW

Რ thCH

Შემთხვევა —– —Თბილსასუფთავე (perIGBT )Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

6.4 10.7 4.0

K/kW

d Ჟრაპკა

Ტერმინალი-გამყოფის ჩახარჯის შორის Ტერმინალი-ტერმინალი

32.2 32.2

მმ

d Გასუფთავება

Ტერმინალი-გამყოფის ჩახარჯის შორის Ტერმინალი-ტერმინალი

19.1 19.1

მმ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

2060

გ