Მოკლე შესახებ:
Მაღალი ძაბვის, ერთიანი გადამრთველი IGBT მოდულები, რომლებიც წარმოებულია CRRC-ის მიერ. 3300V 1200A.
Მახასიათებლები
- SPT+ჩიპ-კომპლექტი ულტრა დაბალი გადართვის დანაკარგებისთვის
- Დაბალი VCE sat
- Დაბალი მართვის ენერგია
- AlSiC ბაზის ფირფიტა მაღალი ენერგიის ციკლური შესაძლებლობისთვის
- AlN სუბსტრატი დაბალი თერმული წინააღმდეგობისთვის
Ტიპიური აპლიკაცია
- Ტრაქცია
- DC ჩოპერი
- Საშუალო ძაბვის ინვერტორები/კონვერტორები
- Საშუალო ძაბვის UPS სისტემა
- Ქარის ენერგიის სისტემა
Მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
M ინ |
M აქს |
Ერთეული |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
DC კოლექტორის მიმდინარე |
IC |
TC = 80 °C |
|
1200 |
Ა |
Პიკის კოლექტორის მიმდინარე |
ICM |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
Ა |
Გეით ემიტერის ძაბვა |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
Მთლიანი სიმძლავრის გაფანტვა |
Ptot |
TC =25°C, თითო გადართვა(IGBT) |
|
10500 |
W |
DC წინასწარი მიმდინარე |
IF |
|
|
1200 |
Ა |
Პიკ-წინ დენი |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
Ა |
Სიძლიერის დენი |
IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, ნახევრად სინეიროტალღური
|
|
9000 |
Ა |
IGBT მოკლე ციკლის SOA |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
µs |
Იზოლაციის ძაბვა |
Visol |
1 წთ, f = 50 Hz |
|
10200 |
V |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
Tvj |
|
|
150 |
°C |
Ჯუნქციის სამუშაო ტემპერატურა |
Tvj(op) |
|
-50 |
125 |
°C |
Კორპუსის ტემპერატურა |
TC |
|
-50 |
125 |
°C |
Შემადგენლითი ტემპერატურა |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
Მონტაჟის მომენტები
|
M ს |
Ბაზა-გათბობის სქემა, M6 ხრახნები |
4 |
6 |
Nm
|
Mt1 |
Მთავარი ტერმინალები, M8 ხრახნები , |
8 |
10 |
Mt2 |
Დამხმარე ტერმინალები, M6 ხრახნები |
2 |
3 |
IGBT მახასიათებელი
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
მნ |
ტიპი |
მაქს |
Ერთეული |
Კოლექტორის (- ემიტერის) გაწყვეტის ძაბვა |
V(BR)CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V
|
Კოლექტორის გამშვები გამშვები გამკვრივების ძაბვა |
VCE sat
|
C = 1200 A, VGE= 15 V
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
Კოლექტორის გათიშული დენი |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
mA |
Ღობეების გაჟონვის დენი |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj = 125 °C
|
-500 |
|
500 |
nA
|
Ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა |
VGE ((თ) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Კარიბჭის გადასახადი |
Სათაო ოფისი |
IC = 1200 A VCE = 1800V VGE = -15V..15V |
|
12.1 |
|
µC |
Შეყვანის სიმძლავრე |
Კაი |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
187 |
|
nF |
Გამოსავალი გამტარუნარიანობა |
Coes |
|
11.57 |
|
nF |
Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე |
Კრეს |
|
2.22 |
|
nF |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
თსს
|
VCC = 1800 V, IC = 1200A,
RG = 3.9Ω, VGE =±15V
L σ = 280nH, ინდუქციური დატვირთვა
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
n |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
n |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
ტრ |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
n |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
n |
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
ტდ (((გამოხურული) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
n |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
n |
Შემოდგომის დრო |
tf |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
n |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
n |
Ჩართვა - ჩართვის დაკარგვა |
Ეონ
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
Გამორთვის გადართვის ენერგიის დაკარგვა |
Ეოფ
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
Კოროტკი წრის ძრავი |
ISC
|
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, ინდუქციური დატვირთვა |
|
5000
|
|
Ა
|
Დიოდის მახასიათებელი
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
მნ |
ტიპი |
მაქს |
Ერთეული |
Წინამავალი ძაბვა |
VF
|
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე |
Ირ
|
VCC= 1800 V, IC= 1200 A,
RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,ინдукციური დატვირთვა
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
Ა |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
Ა |
Აღდგენილი გადასახადი |
Კრრ
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
µC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
µC |
Უკუღმართი აღდგენის დრო |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
n |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
n |
Ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
Ერეკი
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |