CM4226, მაღალი ეფექტიანობის, ბიპოლარული ინსტრუმენტული ამპლიფიკატორი

Გენერალური ინფორმაცია
CM4226 არის პროგრამირებადი ძაღვის, მაღალი წარმადობის, ორმხრივი ინსტრუმენტალური ამპლიფიკატორი, რომელიც იძლევა საუკეთესო CMRR-ს (სიგნალის სიმეტრიის შედარებითი შეფარდება) ფართო სიხშირის დიაპაზონში. ტრადიციული ინსტრუმენტალური ამპლიფიკატორები აჩვენებენ CMRR-ის დაქვეითებას რამდენიმე ასეული ჰერცის დიაპაზონში, ხოლო CM4226 ინარჩუნებს 80 დბ-ზე მეტ მაღალ CMRR-ს 1-ის ტოლი ძაღვის შემთხვევაში 10 კჰც-ის სიგანის მქონე ზოლში. მისი გამორჩეული CMRR საშუალებას აძლევს ჩაიჭრას საერთო ხახუნი და ჰარმონიკები, რაც მნიშვნელოვნად ამარტივებს ფილტრაციის მოთხოვნებს.

Დაბალი წანაცვლების ძაბვით, დაბალი წანაცვლების დრიფტით, დაბალი ძაღვის დრიფტით, მაღალი ძაღვის სიზუსტით და მაღალი CMRR-ით, ეს ჩიფი იდეალურია იმ გამოყენებებისთვის, რომლებიც მოითხოვენ ოპტიმალურ მუდმივ დენის წარმადობას, მაგალითად კიდურის სიგნალის დამუშავებისთვის.

Პროგრამირებადი ძაღვი აძლევს დიზაინის მოქნილობას; ერთი გარე რეზისტორი აყენებს ძაღვს 1-დან 1000-მდე. CM4226 მუშაობს ერთმაგი ან ორმაგი სამუშაო მომარაგებით და მხარს უჭერს შეყვანის ძაბვებს ±10 ვ-მდე.

CM4226 ხელმისაწვდომია SOP8 და MSOP8 პაკეტებში, ოპტიმალური სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონით −40°C-დან 85°C-მდე. იგი იქნება ფუნქციონალური 85°C-დან 125°C-მდე, მხოლოდ უმნიშვნელო შესრულების დაქვეითებით.

Მახასიათებლები

• Ძაბვის მიმღები დიაპაზონი: ±2.3V-დან ±18V-მდე
• Შეყვანის ოფსეტის ძაბვა: 40µV (მაქსიმუმი)
• Შეყვანის წანაცვლების ძაბვის ტემპერატურული ცვალებადობა: 0.3µV/°C (მაქს)
• Შეყვანის წინაღმდეგობის დენი: 0.5nA (მაქსიმუმი)
• Დაბალი შეყვანის ძაბვის ხმაური: 7nV/√Hz (მაქსიმუმი)
• Ეკვივალენტური შეყვანის ხმაური: 0.2µVpp (ტიპ., 0.1Hz–10Hz)
• CMRR: 80dB (DC)/80dB (10kHz) (G = 1)
• Პატარა სიგნალის -3dB სიგანე: 1000kHz (G = 1)
• Მოძრაობის სიჩქარე: 2.4V/µs
• Ერთი გარე რეზისტორით მოწყობილი მოძრავი შემსუბუქება (G = 1–1000)
• SOP8 (4.9 მმ × 3.9 მმ) და MSOP8 (3 მმ × 3 მმ) პაკეტები

Აპლიკაციები

• Ინსტრუმენტაცია
• Სენსორის დამუშავების სქემები
• Მონაცემთა შეგროვების სისტემები
• Ელექტრომაგნიტური ნაკადომეტრები
• Მედიცინური ინსტრუმენტები

SOP8

MSPO8

Ჩვენ შესახებ

Ჩვენ განვითარებაზე ვარჯიშობთ აპლიკაცია iGBT-სა და IC-სთვის პროდუქტები . IGBT-სა და IC-ს პროდუქტების გამოყენების საფუძველზე ჩვენ გავაფართოვეთ ჩვენი პროდუქტების სპექტრი სასწავლო სახელმძღვანელოს მაღალი ხარისხის ენერგო ასემბლების ინდივიდუალური დამზადების მიმართულებით; ამავე დროს, ჩვენი ბიზნესი გაფართოვდა ავტომატიზებული კონტროლის პროდუქტების სფეროში, რომელშიც შედის ADC/ DAC, LDO, ინსტრუმენტული ამპლიფიკატორები, ელექტრომაგნიტური რელეები, PhotoMOS და MOSFET. ამ გზით ჩვენ შეგვიძლია ჩვენს საკუთარ საექსპერტო სფეროში მუშაობის მიხედვით თანამშრომლობა ჩინეთის წამყარ მწარმოებლებთან და ჩვენი მომხმარებლებისთვის სანდო და ხელმისაწვდომი ღირებულების პროდუქტების მიწოდება.
Დაარსებული ინოვაციებისა და შესრულების პრინციპებზე, ვიმყოფით ნახევარგამტარი ალტერნატიული ამონაწევებისა და ტექნოლოგიის წინა ლინიაზე.
Ჩვენი მიზანია ჩვენი კლიენტებისთვის ალტერნატიული ამონახსნების მიწოდება, მათი აპლიკაციური ამონახსნების ეფექტიანობის გაუმჯობესება და მათი მიწოდების ჯაჭვის უსაფრთხოების უზრუნველყოფა China-ში წარმოებული პროდუქების საშუალებით.

Ჩვენი მომხმარებლები

1.Სიმძლავრის ლაბორატორია

Სანდოობა არის პროდუქტის ხარისხის ძირეული საფუძველი და მნიშვნელოვანი ხარისხის მახასიათებელი. ჩვენი ლაბორატორია შექმნილია საერთაშორისო საინდუსტრიო სტანდარტების შესაბამად და სრულად აღჭურვილია სრულფასოვანი გამოცდის შესაძლებლობებით. ის შეუძლია ელექტრონული პროდუქტების სანდოობის განვითარების გამოცდების, სანდოობის კვალიფიკაციის გამოცდების, სიცოცხლის გამოცდების, სკრინინგის გამოცდების და სხვა შეფასებების ჩატარება. ასევე შესაძლებელია მომხმარებლის მოთხოვნების მიხედვით ინდივიდუალურად შემუშავებული სანდოობის გამოცდების ჩატარება.

• Მაღალტემპერატურული გეიტის ბიასის ტესტი (HTGB)
• Მაღალტემპერატურული უკუ ბიასის ტესტი (HTRB)
• Დაბალტემპერატურული საცავო სიცოცხლის ტესტი (LTSL)
• Წნევის ქურის ტესტი (PCT)
• Მაღალტემპერატურული მაღალტენიზიის აჩქარებული ტესტი (H3TRB)
• Შეწყდომით მოქმედების სიცოცხლის ტესტი (IOL)
• Მაღალტემპერატურული საცავო სიცოცხლის ტესტი (HTSL)
• Უბიასო მაღალაჩქარებული სტრესის ტესტი (uHAST)

2.Პროდუქტის შეფასებისა და გამოყენების ლაბორატორია

(1) Მოწყობილობის ტესტირება და შეფასება

• Სხვადასხვა MOSFET-ის, IGBT-ის, დიოდების და ფართე საკუთრად გამოყენებული სიხშირის ძალიან მაღალი სიჩქარის ნახსენების ნახსენების ტესტირება და შეფასება, რომელიც მოიცავს მოწყობილობის სპეციფიკაციებს 1700 В / 2000 А-მდე
• Ტესტირების პუნქტები მოიცავს: I-V პარამეტრებს, C-V პარამეტრებს, Qg, Rg, გადართვის მახასიათებლებს, უკუ აღდგენას, ავალანშს, და მოკლე შერევის შესრულებას

• Საძაბვლის სისტემის ტესტირება

Ჩვენი აპლიკაციური ინჟინრები მრავალწლიანი გამოცდილობით გამოირჩევიან ელექტრომომარაგების დიზაინში და ძალიან მაღალი სიჩქარის მოწყობილობების გამოყენებაში, რაც მომხმარებლებს სრულყოფილ ტექნიკურ მხარდაჭერას უზრუნველყოფს. ტესტირების პუნქტები მოიცავს:

• Ეფექტიანობის ტესტირება
• Ტემპერატურის მატების ტესტირებას
• Შესრულებული ელექტრომაგნიტური შეფარდების (EMI) ტესტირება
• Შეტევის (surge) ტესტირება