Y50ZYB, რბილი აღდგენის დიოდი

I _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

Tsink=55 °C

125

1800

Ა

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

125

100

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

25

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

3125

Ა ²s*10 ³

VFO

Საფეხური ძაბვა

125

1.150

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.138

მΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Მაქსიმალური წინასწარი აღდგენის ძაბვა

di/dt=1000A/µs

125

14

V

25

10

V

IRM

Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

Ა

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

3.0

µs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

150

µC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინუსური, ორმხრივად გაგრილებული კლამპირების ძალა 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.005

FM

Მონტაჟის ძალა

19

26

kN

Ტჟოპ

Მუშაობის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

150

°C

Wt

Წონა

440

g

Კონტური

ZT50cT