H150ZPU, გამწესებელი დიოდი

I _T(AV)

6500Ა

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC= 100 °C

150

6500

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

V-ზე _RRM

150

500

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსოიდური ტალღა Ვირტუალური რეალობა =0.6V _RRM

150

100

kA

I2 t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

50000

10³Ა ²s

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

0.800

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.125

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=5000A, F=140kN

25

1.50

V

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

14000

μC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინუსი, ორმაგი მხარე გაგრილებული Კლამპირების ძალა 24kN

0.0028

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.0006

FM

Მონტაჟის ძალა

165

190

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

160

°C

Wt

Წონა

4000

g

Კონტური

ZT140dT