H125KPU, ფაზის კონტროლის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz Ორმხრივი გაგრილება

TC=55 。C

90

2800

Ა

IDRM IRRM

Განმეორებითი პიკი დიდება

vDRM-ზე tp= 10 მს vRRM-ზე tp= 10 მს

90

700

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10 მს ნახევარი სინუსოიდური ტალღა VR=0.6VRRM

90

40

kA

I 2t

I 2დრო ფუზირების კოორდინაციისთვის

8000

103Ა 2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

90

0.92

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.32

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

V

dv/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე o გამორთული მდგომარეობის f ვოლტი

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μS

di/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე e ჩართული მდგომარეობაში დიდება

VDM=67%VDRM,

Გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

90

6500

μC

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

I H

Შენარჩუნების მიმდინარე

25

200

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

90

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა Ჯუნქციისგან კორპუსამდე

Ორმხრივი გაგრილება

Კლამპირების ძალა 120kN

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსი თბილსასუფთავე

0.001