GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C =95 o C

1280

800

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1600

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

3191

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

800

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.30

1.75

V

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

1.45

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

1.50

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 o C

1.55

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =32.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.5

6.1

7.0

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.38

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

156

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.10

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-8...+15 ვოლტი

10.3

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =25 o C

338

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

174

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1020

n

t f

Შემოდგომის დრო

100

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

65.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

88.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =125 o C

398

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

203

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1140

n

t f

Შემოდგომის დრო

183

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

96.6

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

109

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =150 o C

413

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

213

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1140

n

t f

Შემოდგომის დრო

195

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

105

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

113

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =175 o C

419

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

223

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1142

n

t f

Შემოდგომის დრო

205

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

110

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

115

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 8μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

Ა

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 6μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.85

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.85

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 o C

1.85

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =25 o C

28.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

311

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.9

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =125 o C

56.8

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

378

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

23.7

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =150 o C

66.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

395

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.7

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =175 o C

72.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

403

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

28.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.047 0.083

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.055 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

320

g