GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C@ ტ C=95o C

1280

800

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1600

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

3191

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

800

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.45

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

1.50

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.38

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

156

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.10

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-8...+15 ვოლტი

10.3

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

174

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1020

n

t f

Შემოდგომის დრო

100

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

65.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

88.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

203

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1140

n

t f

Შემოდგომის დრო

183

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

96.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

109

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

213

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1140

n

t f

Შემოდგომის დრო

195

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

105

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

113

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

223

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1142

n

t f

Შემოდგომის დრო

205

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

110

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

115

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 8μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

A

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 6μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

311

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.9

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

378

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

23.7

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

395

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.7

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

403

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

28.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.047 0.083

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.055 0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

320

g