Ყველა კატეგორია
Მიიღეთ შემოთავაზება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

IGBT მოდული 1200V

IGBT მოდული 1200V

Საწყისი გვერდი/Პროდუქტები/IGBT მოდული/IGBT მოდული 1200V

GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT მოდული,STARPOWER

1200V 600A, დამატება: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C2S_B20
  • Შესავალება
  • Კონტური
  • Ექვივალენტური სქემა
Შესავალება

Შემოკლებული წარმოდგენა

IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER .1200V 800Ა.

Მახასიათებლები

  • Დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • Მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
  • Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • Სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • Იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

Ტიპიური გამოყენებები

  • Ინვერტორი ძრავის წამყვანი
  • Ცვლადი და ცალკეული დენის სერვოძრავის გამაძლიერებელი
  • Უწყვეტი დენის მიწოდება

Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C@ ტ C=95o C

1280

800

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1600

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

3191

W

Დიოდი

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

800

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1600

A

Მოდული

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.30

1.75

V

Მე C=800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.45

Მე C=800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

1.50

Მე C=800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.55

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=32.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.38

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

156

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.10

nF

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-8...+15 ვოლტი

10.3

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

174

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1020

n

t f

Შემოდგომის დრო

100

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

65.2

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

88.8

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

203

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1140

n

t f

Შემოდგომის დრო

183

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

96.6

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

109

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

213

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1140

n

t f

Შემოდგომის დრო

195

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

105

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

113

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, =1.2Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

223

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1142

n

t f

Შემოდგომის დრო

205

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

110

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

115

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 8μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

A

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 6μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Დიოდი Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Მე F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.85

Მე F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.85

Მე F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175o C

1.85

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

311

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.9

mJ

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

378

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

23.7

mJ

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

395

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.7

mJ

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

403

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

28.6

mJ

Მოდული Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

thJC

Გადასასვლელი Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.047 0.083

Კვ/ვ

thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.055 0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Წონა შემდეგი Მოდული

320

Კონტური

Ექვივალენტური სქემა

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Მიიღეთ შემოთავაზება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000