GD75PFX170C6SG, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

139

75

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

150

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

559

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

75

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

150

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

2000

V

I O

Საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

75

Ა

I FSM

Წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T vj = 25o C @ ტ vj =150 o C

1440

1206

Ა

I 2t

I 2t-ღირებულება,t პ =10ms @ T vj =25 o C @ ტ vj =150 o C

10368

7272

Ა 2s

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტორი) Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.25

I C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =3.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

8.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

9.03

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.22

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =46 nH ,T vj =25 o C

236

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

42

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

356

n

t f

Შემოდგომის დრო

363

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.3

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =46 nH ,T vj =125 o C

252

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

48

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

420

n

t f

Შემოდგომის დრო

485

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

27.1

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.6

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =46 nH ,T vj =150 o C

275

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

432

n

t f

Შემოდგომის დრო

524

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

27.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

17.7

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤1700V

300

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =12 5o C

1.90

I F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L S =46 nH ,T vj =25 o C

10.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

84

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.44

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V L S =46 nH ,T vj =125 o C

20.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

87

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

16.1

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L S =46 nH ,T vj =150 o C

22.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

97

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

19.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I C =75A, T vj =150 o C

0.95

V

I R

Უკუქცევითი დენი

T vj =150 o C ,V R =2000V

3.0

mA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT -ინვერტორი ) Კავშირი-კერძო (DIODE-ინვერტერის თვის ter) Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი)

0.268 0.481 0.289

Კვ/ვ

R thCH

Შემთხვევა -რომ -Თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )Კერძოდ-გამყოფის კავშირი (თითოეულ დიოდის მითითებით) nverter) Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.106 0.190 0.114 0.009

Კვ/ვ

M

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g