GD75PFX170C6SG, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

150

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

559

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

75

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

150

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

2000

V

IO

Საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

75

A

IFSM

Წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t-ღირებულება,t პ =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

10368

7272

A2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტორი) Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=75A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

8.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.22

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=75A, Რ G=6.8Ω,V GE =±15 ვოლტი, LᲡ =46nH ,T vj =25o C

236

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

42

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

356

n

t f

Შემოდგომის დრო

363

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.3

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=75A, Რ G=6.8Ω,V GE =±15 ვოლტი, LᲡ =46nH ,T vj =125o C

252

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

48

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

420

n

t f

Შემოდგომის დრო

485

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

27.1

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.6

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=75A, Რ G=6.8Ω,V GE =±15 ვოლტი, LᲡ =46nH ,T vj =150o C

275

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

432

n

t f

Შემოდგომის დრო

524

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

27.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

17.7

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V CEM ≤1700V

300

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15 ვოლტი LᲡ =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

84

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.44

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =-15V LᲡ =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

87

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

16.1

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15 ვოლტი LᲡ =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

97

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

19.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IC=75A, T vj =150o C

0.95

V

IᲠ

Უკუქცევითი დენი

T vj =150o C,V Რ =2000V

3.0

mA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT -ინვერტორი ) Კავშირი-კერძო (DIODE-ინვერტერის თვის ter) Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი)

0.268 0.481 0.289

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა --დან -Თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )Კერძოდ-გამყოფის კავშირი (თითოეულ დიოდის მითითებით) nverter) Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.106 0.190 0.114 0.009

Კვ/ვ

Მ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g