MTG150,MTY150,თირისტორის მოდულები ((არაიზოლირებული ტიპი),TECHSEM

VRRM,VDRM

Ტიპი და კონტური

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTx ნიშნავს ნებისმიერი t იპე MTG, MTY

MFx ნიშნავს ნებისმიერი ty იპე MFG, MFY

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=90 °C

125

150

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

236

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

12

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი

125

3.9

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

76

10³Ა ²s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.80

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

1.74

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=450A

25

1.67

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

800

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

100

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

180

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინუსი, ერთი მხარე გაგრილებული თითო ჩიპი

0.16

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

180-ზე ° სინუსი, ერთი მხარე გაგრილებული თითო ჩიპი

0.10

°C /W

FM

Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

280

g

Კონტური

213F4