GD600HFX120C6SA, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

1108

600

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1200

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

4054

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.90

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

1.95

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

62.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.74

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.62

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =34nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25o C

266

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

82

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

400

n

t f

Შემოდგომის დრო

192

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

65.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

52.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =34nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125o C

282

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

94

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

448

n

t f

Შემოდგომის დრო

290

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

96.2

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

67.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =34nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150o C

286

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

94

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

459

n

t f

Შემოდგომის დრო

299

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

107

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

70.3

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

2.05

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

2.10

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5500A/μs, L Წმ =34nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T ჯ =25o C

23.8

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

260

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.7

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4700A/μs, L Წმ =34nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T ჯ =125o C

65.1

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

293

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.4

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4600A/μs, L Წმ =34nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T ჯ =150o C

76.7

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

306

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

30.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2— 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2— 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2— 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.037 0.065

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.050 0.009

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

350

გ