Მოკლე გაცნობარება
Დიოდური მოდულები(არიზოლირებული ტიპი) ,MDx 200,800V~1800V, ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM |
Ტიპი და კონტური |
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4 |
Მახასიათებლები ：
-
Არიზოლირებული. მონტაჟის ბაზა როგორც საერთო ანოდი კათოდი ტერმინალი.
- Წნევის კონტაქტის ტექნოლოგია გაზრდილი ენერგიის ციკლური შესაძლებლობით
- Დაბალი წინასწარი ძაბვის ვარდნა
Ტიპიური გამოყენებები ：
- Შედუღების ენერგიის წყარო
- Სხვადასხვა DC ენერგიის წყაროები
|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებელი
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj( 。C) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
IF(AV) |
Საშუალო წინასწარი დენი |
180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz
Ერთ მხარეს გაგრილებული, TC=100 ℃
|
150
|
|
|
200 |
A |
IF(RMS) |
RMS წინასწარი დენი |
|
|
314 |
A |
IRRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vRRM-ზე |
150 |
|
|
20 |
mA |
IFSM |
Სალტო წინასწარი დენი |
VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი |
150
|
|
|
6.2 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
192 |
103A2s |
VFO |
Საფეხური ძაბვა |
|
150
|
|
|
0.80 |
V |
rF |
Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.96 |
მ ω |
VFM |
Პიკური წინასწარი ძაბვა |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
180-ზე °ჟსინ. ერთპიროვნული გაგრილება ჩიპი |
|
|
|
0.20 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
180-ზე °ჟსინ. ერთპიროვნული გაგრილება ჩიპი |
|
|
|
0.10 |
℃/W |
|
FM
|
Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Წონა |
|
|
|
280 |
|
g |
Კონტური |
213F4 |
EN
