GD600HFX120C2SAD_B20 , IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1096

600

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

3947

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

600

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.05

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.15

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.25

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

64.7

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.88

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

5.38

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G = 1,5Ω, L S =50 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 o C

314

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

105

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

527

n

t f

Შემოდგომის დრო

151

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

63.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

53.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G = 1,5Ω, L S =50 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 o C

350

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

591

n

t f

Შემოდგომის დრო

315

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

96.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G = 1,5Ω, L S =50 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =150 o C

359

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

604

n

t f

Შემოდგომის დრო

328

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

105

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

75.6

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.65

2.10

V

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.65

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.60

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =25 o C

38.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

313

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =600A,

-დი/მუ=4440A/μs, L S =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =125 o C

76.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

368

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

22.5

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =600A,

-დი/მუ=4240A/μs, L S =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =150 o C

88.9

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

387

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.038 0.068

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.056 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

320

g