GD600HFX120C2SAD_B20 , IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

1096

600

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1200

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

3947

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

600

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.05

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.15

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.25

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

64.7

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.88

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

5.38

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ = 1,5Ω, LᲬმ =50nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25o C

314

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

105

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

527

n

t f

Შემოდგომის დრო

151

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

63.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

53.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ = 1,5Ω, LᲬმ =50nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125o C

350

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

591

n

t f

Შემოდგომის დრო

315

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

96.5

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.2

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ = 1,5Ω, LᲬმ =50nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =150o C

359

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

604

n

t f

Შემოდგომის დრო

328

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

105

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

75.6

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.65

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.60

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L Წმ =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

313

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.8

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =600A,

-დი/მუ=4440A/μs, L Წმ =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

368

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

22.5

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =600A,

-დი/მუ=4240A/μs, L Წმ =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

387

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.038 0.068

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.056 0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

320

გ