200A,600V~1800V,413F3D
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
Მოკლე შესავალი
Სწრაფი გამორთვის თირისტორი მოდულები ,MK ((H) x200 Მკ200, 200A, Ჰაერის გაგრილება ,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V |
MKx200-06-413F3D |
MHx200-06-413F3D |
800V |
MKx200-08-413F3D |
MHx200-08-413F3D |
1000 ვოლტი |
MKx200-10-413F3D |
MHx200-10-413F3D |
1200 ვოლტი |
MKx200-12-413F3D |
MHx200-12-413F3D |
1400V |
MKx200-14-413F3D |
MHx200-14-413F3D |
1600V |
MKx200-16-413F3D |
MHx200-16-413F3D |
1800V |
MKx200-18-413F3D |
MHx200-18-413F3D |
1800V |
MK200-18-413F3DG |
|
MKx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MKC, MKA, MKK
MHx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MHC, MHA, MHK
Მახასიათებლები ：
Ტიპიური გამოყენებები ：
|
Სიმბოლო |
Მახასიათებლები |
Გამოცდის პირობები |
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული |
||
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|||||
I T(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180° ნახევარი სიუნუს ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილებული, Tc=85 °C |
125 |
|
|
200 |
Ა |
I T(RMS) |
RMS აქტიური მიმდინარე |
|
|
314 |
Ა |
||
I DRM I RRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
125 |
|
|
50 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM |
125 |
|
|
4.8 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
115 |
103Ა 2s |
||
V Რომ |
Საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
|
1.65 |
V |
r T |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.60 |
m |
||
V TM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=600A |
25 |
|
|
2.65 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
Გეითის წყარო 1.5A tr ≤0.5μs განმეორებითი |
125 |
|
|
200 |
A/μS |
tq |
Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო |
ITM=200A, tp=4000μs,VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
20 |
|
40 |
µs |
25 |
6 |
|
16 |
µs |
|||
I GT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
180 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
20 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
1000 |
mA |
||
V GD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.100 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.040 |
°C /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
FM |
Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
|
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
770 |
|
g |
Კონტური |
413F3D |
||||||
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
