GD225HFX120C6S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=195o C

338

225

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

450

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1071

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

225

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

450

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=225A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.75

2.20

V

Მე C=225A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.00

Მე C=225A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=8.16mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

23.3

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.65

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=225A, Რ Გ =1.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

136

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

34

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

372

n

t f

Შემოდგომის დრო

69

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

5.78

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.7

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=225A, Რ Გ =1.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

145

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

34

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

461

n

t f

Შემოდგომის დრო

88

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

10.6

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

26.0

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=225A, Რ Გ =1.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

153

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

34

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

490

n

t f

Შემოდგომის დრო

98

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.8

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

28.9

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

900

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =225A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Მე F =225A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Მე F =225A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, T ჯ =25o C

25.9

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

345

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.8

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, T ჯ =125o C

49.5

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

368

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

21.6

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, T ჯ =150o C

56.4

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

391

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

24.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2— 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2— 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2— 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.140 0.203

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა —– —Თბილსასუფთავე (perIGBT ) Კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.030 0.044 0.009

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

350

გ