GD225HFX120C6SA, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

368

225

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

450

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1229

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

225

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

450

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=225A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

IC=225A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

IC=225A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=5.63mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

23.3

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.65

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=225A, Რ G=1.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

171

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

391

n

t f

Შემოდგომის დრო

72

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

7.3

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

17.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=225A, Რ G=1.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

182

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

484

n

t f

Შემოდგომის დრო

93

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

13.4

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

27.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=225A, Რ G=1.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

193

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

515

n

t f

Შემოდგომის დრო

103

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

16.1

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

30.4

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

900

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =225A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

IF =225A,V GE =0V,T ჯ =125o C

1.90

IF =225A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, T ჯ =25o C

25.9

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

345

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.8

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, T ჯ =125o C

49.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

368

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

21.6

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, T ჯ =150o C

56.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

391

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

24.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.122 0.188

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა --დან -Თბილსასუფთავე (perIGBT ) Კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.030 0.046 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g