GD200HFX120C8SN, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

363

200

Ა

I CRM

Განმეორებადი Პიკი Კოლექციონერი Დიდება tp შეზღუდული ნა T vjop

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

1293

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

Ა

I FRM

Განმეორებადი Პიკი Წინასწარი Დიდება tp შეზღუდული ნა T vjop

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.75

2.20

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.00

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

18.6

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.52

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =25 o C

140

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

31

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

239

n

t f

Შემოდგომის დრო

188

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

11.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

13.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =125 o C

146

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

36

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

284

n

t f

Შემოდგომის დრო

284

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

18.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =150 o C

148

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

294

n

t f

Შემოდგომის დრო

303

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

21.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

19.8

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =25 o C

20.0

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

220

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.5

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =125 o C

34.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

209

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

12.9

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =150 o C

38.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

204

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

14.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.116 0.185

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.150 0.239 0.046

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.m

G

Წონა of Მოდული

200

g