MZx300, სწრაფი აღდგენის დიოდის მოდული, TECHSEM

VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx400-06-406F3

MZx400-08-406F3

MZx400-10-406F3

MZx400-12-406F3

MZx400-14-406F3

MZx400-16-406F3

MZx400-18-406F3

MZx400-18-406F3G

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ერთმხრივი გაგრილება, TC=60 °C

150

400

Ა

IF (RMS)

RMS წინასწარი დენი

628

Ა

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

150

70

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

150

8.30

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

344

Ა ²s*103

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

1.0

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.85

m

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM= 1200A

25

2.1

V

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

150

4.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.130

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.040

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M10)

10.0

12.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

1580

g

Კონტური

406F3