GD200HFU120C8S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=65o C

262

200

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =150o C

1315

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

3.00

3.45

V

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

3.80

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

4.4

5.3

6.0

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.3

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

13.0

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.85

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

2.10

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

87

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

40

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

451

n

t f

Შემოდგომის დრო

63

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

6.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

88

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

483

n

t f

Შემოდგომის დრო

78

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

11.4

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

13.5

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =125o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1300

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =200A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

IF =200A,V GE =0V,T ჯ =125o C

2.00

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

13.3

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

236

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.6

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T ჯ =125o C

23.0

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

269

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.095

0.202

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.135

0.288

0.046

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

200

g