Მოკლე შესავალი
IGBT მოდული ,შექმნილი STARPOWER-ის მიერ. 1200V 200Ა.
Მახასიათებლები
- NPT IGBT ტექნოლოგია
- 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
- Დაბალი გადასვლის დანაკარგები
- VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
- Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
- Სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
- Იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით
Ტიპიური გამოყენებები
- Გამორთვის რეჟიმის ენერგიის წყარო
- Ინდუქციური გათბობა
- Ელექტრონული შედუღებელი
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1200 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
Ის C |
Კოლექტორის დენი @ T C =25o C
@ ტ C =65o C
|
262
200
|
Ა |
Ის CM |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms |
400 |
Ა |
P D |
Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =150o C |
1315 |
W |
Დიოდი
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V RRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1200 |
V |
Ის F |
Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა |
200 |
Ა |
Ის FM |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms |
400 |
Ა |
Მოდული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
T jmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
150 |
o C |
T ჯოპი |
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +125-მდე |
o C |
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე |
-40-დან +125-მდე |
o C |
V ISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ |
2500 |
V |
IGBT Მახასიათებლები T C =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
|
V CE ((sat)
|
Შემგროვებელი გამცემი
Გამსჭვალვის ძაბვა
|
Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C |
|
3.80 |
|
V Გენერალური საწარმოები (th) |
Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი |
Ის C =2.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
Ის CES |
Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული
Მიმდინარე
|
V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,
T ჯ =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Ის Გენერალური საწვავის სისტემა |
Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე |
V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C |
|
|
400 |
nA |
Რ Გინტი |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური |
|
|
1.3 |
|
ω |
C ies |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz,
V Გენერალური საწარმოები =0V
|
|
13.0 |
|
nF |
C res |
Საპირისპირო გადაცემა
Გამტარუნარიანობა
|
|
0.85 |
|
nF |
Q G |
Კარიბჭის გადასახადი |
V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V |
|
2.10 |
|
μC |
t d (ზე ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C
|
|
87 |
|
n |
t რ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
40 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
451 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
63 |
|
n |
Ე ზე |
Ჩართვა Გადაღება
Დანარჩენი
|
|
6.8 |
|
mJ |
Ე გათიშული |
Გამორთვის გადართვა
Დანარჩენი
|
|
11.9 |
|
mJ |
t d (ზე ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C
|
|
88 |
|
n |
t რ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
44 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
483 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
78 |
|
n |
Ე ზე |
Ჩართვა Გადაღება
Დანარჩენი
|
|
11.4 |
|
mJ |
Ე გათიშული |
Გამორთვის გადართვა
Დანარჩენი
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
Ის SC
|
Ს.კ. მონაცემები
|
t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,
T ჯ =125o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V
|
|
1300
|
|
Ა
|
Დიოდი Მახასიათებლები T C =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V F |
Დიოდი წინ
Ვოლტი
|
Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C |
|
2.00 |
|
Q რ |
Აღდგენილი გადასახადი |
V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C
|
|
13.3 |
|
μC |
Ის RM |
Პიკის საპირისპირო
Აღდგენის დენი
|
|
236 |
|
Ა |
Ე რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
6.6 |
|
mJ |
Q რ |
Აღდგენილი გადასახადი |
V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C
|
|
23.0 |
|
μC |
Ის RM |
Პიკის საპირისპირო
Აღდგენის დენი
|
|
269 |
|
Ა |
Ე რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
10.5 |
|
mJ |
Მოდული Მახასიათებლები T C =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
Რ thJC |
Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)
Კვანძები (D-ზე) იოდი)
|
|
|
0.095
0.202
|
Კვ/ვ |
|
Რ thCH
|
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)
Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)
|
|
0.135
0.288
0.046
|
|
Კვ/ვ |
Მ |
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m |
G |
Წონა შემდეგი Მოდული |
|
200 |
|
g |
EN
