Y76ZKG, სწრაფი აღდგენის დიოდი

I _T(AV)

2175Ა

V _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC=85 °C

150

2175

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

150

4000

5000

V

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

v-ზე _RRM

150

240

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სიუნუს ტალღა VR=0.6V _RRM

150

30

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

4500

Ა ²s* 10 ³

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

1.65

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.25

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

I _TM =3000A, F=40kN

25

3.00

V

IRM

Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

320

Ა

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

12

μs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

1900

2200

μC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინი, ორმხრივი გაგრილებული

0.010

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.003

FM

Მონტაჟის ძალა

35

47

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

160

°C

Wt

Წონა

1100

g

Კონტური

ZT73cT