MTx400 MFx400 MT400,თირისტორი/დიოდის მოდულები,წყლის გაგრილება

V RRM v DRM

Ტიპი & კონტურა

2000 ვოლტი

2200 ვოლტი

2500 ვოლტი

2500 ვოლტი

MTx400-20-405F3

MTx 400-22-405F3

MTx 400-25-405F3

MT425-005F3G

MFx400-20-405F3

MFx400-22-405F3

MFx400-25-405F3

MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA, MTK

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=55 。C

125

400

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

628

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

45

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM,t= 10ms ნახევარი სიუნსი,

125

11

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

605

10³A2 ^s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.82

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.79

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM= 1200A

25

2.18

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

200

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.11

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.04

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

12

14

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

1060

g

Კონტური

405F3