GD1000HTA75P6HT

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

Ა

I C

Კოლექტორის დენი @ T F =125 o C

450

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2000

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 o C T vj =175 o C

1282

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

I FN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

Ა

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2000

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10 წამით პერიოდში 30 წამით, გამოჩენა მაქსიმალურად 3000-ჯერ გავლენა ცხოვრების განმავლობაში

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

d Ჟრაპკა

Ტერმინალი Heatsink-სთვის Ტერმინალი ტერმინალამდე

9.0 9.0

მმ

d Გასუფთავება

Ტერმინალი Heatsink-სთვის Ტერმინალი ტერმინალამდე

4.5 4.5

მმ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.10

1.35

V

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

1.10

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 o C

1.10

I C =1000A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.40

I C =1000A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 o C

1.60

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =12.9 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.2

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

66.7

nF

C oes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.50

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.35

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.74

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

R Გონ =1.2Ω, R Გოფ =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 o C

244

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

61

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

557

n

t f

Შემოდგომის დრო

133

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

11.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

22.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

R Გონ =1.2Ω, R Გოფ =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 o C

260

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

636

n

t f

Შემოდგომის დრო

226

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

16.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

32.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

R Გონ =1.2Ω, R Გოფ =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175 o C

264

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

70

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

673

n

t f

Შემოდგომის დრო

239

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

33.6

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 6μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

Ა

t Პ ≤3μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.40

1.65

V

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.35

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 o C

1.30

I F =1000A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 o C

1.80

I F =1000A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 o C

1.80

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =400V, I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L S =24 nH ,T vj =25 o C

18.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

303

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

3.72

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =400V, I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L S =24 nH ,T vj =150 o C

36.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

376

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.09

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =400V, I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L S =24 nH ,T vj =175 o C

40.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

383

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.01

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.75

mΩ

პ

Მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40 o C

T საყრდენი პლატა >40 o C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

bar

R თი-ი-ფ

Გადასასვლელი -რომ -Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Წონა of Მოდული

750

g