Ყველა კატეგორია
Მიიღეთ შემოთავაზება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

IGBT მოდული 1200V

IGBT მოდული 1200V

Საწყისი გვერდი/Პროდუქტები/IGBT მოდული/IGBT მოდული 1200V

GD1000HFA120C6S_B39,IGBT მოდული,STARPOWER

1200V 1000A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HFA120C6S_B39
  • Შესავალება
  • Კონტური
Შესავალება

Შემოკლებული წარმოდგენა

IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 1000A.

Მახასიათებლები

  • Დაბალი VCE (sat) Trench IGB Ტექნოლოგია
  • Კороткое ჩართვის შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • Მაქსიმალური ჯუნქციის ტემპერატურა 175o C
  • Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • Სწრაფი და რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი-пარალელური FWD
  • Იზოლირებული სპილენძის პინფინი ბაზის პლატა AMB ტექნოლოგიის გამოყენებით

Ტიპური Აპლიკაციები

  • Ჰიბრიდული და ელექტრო ავტომობილი
  • Ინვერტორი ძრავის წამყვანი
  • Უწყვეტი დენის მიწოდება

Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T F=25oC თუ არ არის სხვა მითითებული

IGBT

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე CN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

A

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T F =75o C

765

A

Მე CRM

Განმეორებადი Პიკი Კოლექციონერი Მიმდინარე tp შეზღუდული მიერ T vjop

2000

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75o C,T =175o C

1515

W

Დიოდი

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე FN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

A

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

765

A

Მე FRM

Განმეორებადი Პიკი Წინასწარი Მიმდინარე tp შეზღუდული მიერ T vjop

2000

A

Მე FSM

Წინგადაცემული დენი t p =10ms @ T vj =25o C@ ტ vj =150o C

4100

3000

A

Მე 2t

Მე 2თ- ღირებულება ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

84000

45000

A2წმ

Მოდული

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=1000A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.45

1.90

V

Მე C=1000A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.65

Მე C=1000A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.80

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

51.5

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.36

nF

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

13.6

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A,

=0.51Ω, L Წმ =40nH, V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T vj =25o C

330

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

842

n

t f

Შემოდგომის დრო

84

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

144

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

87.8

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A,

=0.51Ω, L Წმ =40nH, V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T vj =125o C

373

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

155

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

915

n

t f

Შემოდგომის დრო

135

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

186

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

104

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A,

=0.51Ω, L Წმ =40nH, V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T vj =175o C

390

n

t

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

172

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

950

n

t f

Შემოდგომის დრო

162

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

209

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

114

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤8μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V,

V CEM 1200 ვოლტი

3200

A

t P≤6μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V,

V CEM 1200 ვოლტი

3000

A

Დიოდი Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =1000A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

Მე F =1000A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.70

Მე F =1000A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175o C

1.60

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, LᲬმ =40nH ,T vj =25o C

91.0

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

441

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.3

mJ

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, LᲬმ =40nH ,

T vj =125o C

141

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

493

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

42.5

mJ

Აღდგენილი გადასახადი

V =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, LᲬმ =40nH ,

T vj =175o C

174

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

536

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

52.4

mJ

NTC Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

∆R/R

Გადახრა შემდეგი 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2 1⁄298.15K))]

3375

B 25/80

B-მასპინძელი

2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2 1⁄298.15K))]

3411

B 25/100

B-მასპინძელი

2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2 1⁄298.15K))]

3433

Მოდული Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

CC ’+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

თი-ი-ფ

Გადასასვლელი Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) V/ t=10.0 dm 3/წუთი ,T F =75o C

0.066 0.092

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

Წონა შემდეგი Მოდული

400

P

Მაქსიმალური წნევა კooling სქემაში

3

სველი

∆p

Წნევის ვარდნა კooling სქემაში კუტი

∆V/∆t=10.0dm 3/წმ;T F =25o C;კooling Სითხე=50% წყალი/50% ეთილენის გლიკოლი

47

მბარი

Კონტური

image(c537ef1333).png

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Მიიღეთ შემოთავაზება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი და გვარი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000