概要
IGCTモジュール ,非対称統合 ゲートコミュテートサイリスタ(IGCT)プラス、
yTによって製造されました。4500V 5000A。
アプリケーション
主な特徴
主要パラメータ
V DRM |
4500 |
V |
私 TGQM |
5000 |
A |
私 試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験 |
3000 |
A |
私 ターミナル・マスク |
35 |
kA |
V ~ |
1.22 |
V |
バー T |
0.28 |
mQ |
V DCリンク |
2800 |
V |
メカニカルデータ
シンボル |
仕様 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
F |
取り付け力 |
36 |
40 |
44 |
kN |
DP |
柱形直径 |
— |
85 |
—— |
mm |
時 |
厚さ |
— |
26 |
—— |
mm |
分 |
重量 |
— |
2.8 |
—— |
kg |
Ds |
表面の滑り |
33 |
— |
—— |
mm |
Da |
距離 |
10 |
— |
—— |
mm |
L |
IGCT サイズ |
— |
447.8 |
—— |
mm |
時 |
IGCT 高さ |
— |
41 |
|
mm |
W |
IGCT 幅 |
— |
170 |
|
mm |
ブロックデータ
シンボル |
仕様 |
条件 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
V DRM |
静止電圧のピークのレプ |
T Vj =125°C,I D≤I DRM,t p =10ms |
— |
— |
4500 |
V |
私 DRM |
静止電流のピーク |
T Vj =125°C,V D=V DRM,t p =10ms |
— |
— |
50 |
mA |
d v /dt |
アノード電圧の上昇の臨界速度 |
T Vj =125°C,V D=0.67V DRM |
— |
— |
1000 |
V/μs |
V DClin について K |
常流電圧100FIT gCTの失敗率 |
障害率100FITの許容される中間電圧 |
— |
— |
2800 |
V |
V RRM |
逆電圧 |
\ |
— |
— |
17 |
V |
国内データ
シンボル |
仕様 |
条件 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
私 試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験 |
マックス RMSオン状態の電流 |
T C= 85°C, Sin l半波,二重側冷却 |
— |
— |
3000 |
A |
|
私 ターミナル・マスク 私 2t |
最大 繰り返さない電波 状態電流 制限負荷積分 |
T Vj = 125°C,シヌ半波,10ms V D=V バー =0 |
— — |
— — |
35 545 |
KA 104A2 秒 |
V ティム |
オン状態の電圧 |
T VJ = 125°C,I T = 5000A |
— |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V ~ バー T |
限界電圧 傾き抵抗 |
T VJ = 125°C,I T = 1000...5000A |
— |
— |
1.22 0.28 |
V mΩ |
オンデータ
シンボル |
仕様 |
条件 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
ディ T /dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
TVJ = 125 について ℃電気回路は,電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の電圧の |
— |
— |
5000 |
A/ について μ 秒 |
t don |
オンする遅延時間 |
T Vj = 125 について ℃, 私 T = 5000A,V D= 2800V di /dt = V D/L私 、 CL =20μF,R 秒 =0.4Ω L私 = 3微分H,L CL =0.3μH |
— |
— |
4 |
μ 秒 |
t ダンSF |
オン 遅延 時間 状態 返信 |
— |
— |
7 |
μ 秒 |
|
t バー |
上昇時間 (アンード電圧の落ちる時間) |
— |
— |
1 |
μ 秒 |
|
Eオン |
発拍毎のオンエネルギー |
— |
— |
1.8 |
J |
切断データ
シンボル |
パラメータ名 |
試験条件 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
私 TGQM |
最大制御可能な切断電流 |
T Vj = 125°C,V DM ≤V DRM,V D=2800V, LCL =0.3μH,C CL = 20μF,R 秒 = 0.4Ω , f=0..300Hz DFwd = D CL =SF8.FY B 2000-45 |
— |
— |
5000 |
A |
t ほら |
離陸遅延時間 |
T Vj = 125°C,I TGQ = 5000A,V D=2800V, V DM ≤ V DRM 、 CL = 20μF,R 秒 ゼロです 4オー L私 =4μH,L CL =0.3μH DFwd = D CL = SF8.FYB2000-45 |
— |
— |
8 |
μ 秒 |
t doffSF について |
停止遅延時間の状態 フィードバック |
— |
— |
7 |
μ 秒 |
|
t f |
秋の時間 |
— |
— |
1 |
μ 秒 |
|
Eオフ |
発作毎の切断エネルギー |
— |
28 |
33 |
J |
熱データ
シンボル |
仕様 |
条件 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
|
T Vj T STG |
接合動作温度 保管温度範囲 |
/ |
0 -40 |
— |
125 60 |
℃ ℃ |
|
バー thJC バー thCH |
熱抵抗,ケースへの接点 熱抵抗,ケースから熱シンク |
双面冷却 |
— — |
— — |
8.5 3 |
電力量 電力量 |
ゲートユニット
シンボル |
仕様 |
条件 |
分 で |
典型的な |
分 ax |
|
V 遺伝子番号 RMS |
ゲートユニットの電圧 |
DC電圧またはAC平方波幅 (15kHz - 100kHz) について 電気回路に電磁隔離がない |
28 |
— |
40 |
V |
P遺伝子番号 最大 |
マックス ゲートユニットの電源消費量 |
/ |
— |
— |
130 |
W |
私 ゲン・ミン |
分かってる 電力とゲートユニットに電源が必要 |
分かってる 電力とゲートユニットに電源が必要 |
2 |
— |
— |
A |
私 ゲンマックス |
内部電流制限 |
ゲートユニットによって制限された直線平均電流 |
— |
— |
8 |
A |
オプティカルコントロール入力/出力
|
t について (分) t 消去する (min) |
タイム 休憩時間 |
/ |
40 40 |
— — |
— — |
μ 秒 μ 秒 |
|
PcSについて POff CS PsFについて Pオフ SF |
CS Oプティカル入力電源 CS O音響電源 SF Oプティカル出力 SF O音響電源 |
1mmのプラスチック光ファイバーで有効です (POF) |
-15 — -19 — |
— — — — |
-1 -45 -1 -50 |
dBm dBm dBm dBm |
|
t グラフ t 復元する |
パルス幅の限界値 外部リトリガーパルス幅 |
応答なしの最大パルス幅 / |
— 700 |
— — |
400 1100 |
nS nS |
CS |
命令信号の受信機 |
アジレント ,車両タイプ: HFBR-2521 |
||||
SF |
状態フィードバックの送信機 |
アジレント ,車両タイプ: HFBR-1521 |
||||

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