Hōmupeーji / 製品 / IGBTモジュール / IGBTモジュール 1700V
主要パラメータ：
Vces = 1700V
1700V／500A、VCE(sat) = 1.85V＠25℃
IC = 500A
ICRM = 1000A
主要な特徴:
典型的な用途:
| シンボルで覆われています | 試験条件 | バリュー | ユニット |
| 総額 | Tj=25°C | 1700 | V |
| 集積回路 | TC=100°C ，Tjmax=175°C | 500 | A |
| ICRM | tp=1ms | 1000 | A |
| Ptot | TC=25 ℃、Tvjmax=175 ℃ | 4000 | W について |
| VGES | -- | ±20 | V |
IGBT、電気的パラメータ
| シンボル | 試験条件 | ほんの少し | 典型的な | マックス | ユニット | |
| VCEsat | IC = 500A、VGE = 15V、Tj = 25℃ | -- | 1.85 | 2.25 | V | |
| IC = 500A、VGE = 15V、Tj = 125℃ | -- | 2.25 | -- | |||
| IC=500A、VGE=15V、Tj=150°C | -- | 2.35 | -- | |||
| VGEth | IC＝15mA、VGE＝VCE、Tj＝25°C | 5.6 | 6.1 | 6.7 | V | |
| ICES | VCE＝1700V、VGE＝0V、Tj＝25°C | -- | -- | 1 | mA | |
| VCE=1700V、VGE=0V、Tj=125°C | -- | -- | 10 | |||
| VCE＝1700V、VGE＝0V、Tj＝150°C | -- | -- | 20 | |||
| ゲノム | VCE＝0V、VGE＝±20V、Tj＝25°C | -- | -- | 500 | nA | |
| 司令部 | VGE＝15V～−15V | -- | 5 | -- | µC | |
| サイエス | f＝100kHz、VCE＝25V、VGE＝0V、Tj＝25°C | -- | 74 | -- | ロープ | |
| クレス | -- | 0.52 | -- | |||
| オン (オン) | IC=500A、 | Tj=25°C | -- | 210 | -- | nS |
| VCE=900V、 | Tj=125°C | -- | 220 | -- | ||
| VGE=15V/-15V、 | Tj=150°C | -- | 220 | -- | ||
| tr | Rgon=1.8Ω、 | Tj=25°C | -- | 70 | -- | nS |
| Rgoff=1.8Ω、 | Tj=125°C | -- | 80 | -- | ||
| di/dt=7800A/μs（Tj=150°C） | Tj=150°C | -- | 80 | -- | ||
| 消して | dv/dt=4800V/μs（Tj=150°C） | Tj=25°C | -- | 740 | -- | nS |
| 誘導性負荷 | Tj=125°C | -- | 830 | -- | ||
| Tj=150°C | -- | 850 | -- | |||
| tF | Tj=25°C | -- | 360 | -- | nS | |
| Tj=125°C | -- | 510 | -- | |||
| ）Tj=150°C | -- | 550 | -- | |||
| エオン | Tj=25°C | -- | 42 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 68 | -- | |||
| Tj=150°C | -- | 80 | -- | |||
| オーフ | Tj=25°C | -- | 110 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 144 | -- | |||
| Tj=150°C | -- | 155 | -- | |||
| 短絡電流 | VGE≤15V、 | Tj=150°C | -- | 1800 | -- | A |
| VCE=1000V、 | ||||||
| tp≤10μs、 | ||||||
| RthJC | 各IGBTごと | -- | 56.9 | 60 | 電力量 | |
| バイバイ | -- | -40 | 150 | °C | ||
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