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中低電圧用トレンチ（Trench）MOSFETシリーズ製品は、N／P20V～100Vの電圧範囲をカバーしています。さまざまなアプリケーション分野における特定の性能要件を満たすため、異なる設計方式が採用されており、各アプリケーションにおいて優れた性能を実現します。
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技術的な導入
パワー半導体の低電圧トレンチMOSFETは、従来の平面ゲート型フィールド効果トランジスタ（FET）から進化したものである。これらのデバイスは、水平伝導チャネルから垂直伝導チャネルへと切り替えることで、伝導チャネルを改善し、さらにユニットセル面積を縮小することが可能となった。同時に、十分な耐圧を確保するために低ドープのエピタキシャル層が採用されており、このエピタキシャル層のドープ濃度および厚さを変化させることで、異なる定格電圧を持つデバイスを容易に得ることができる。デバイスのブレークダウン電圧が所定の要件を満たすことを保証しつつ、トレンチパワー素子における重要な技術動向の一つは、個々のユニットセルのサイズをより小型化し、かつユニットセル密度を高めることであり、これにより単位面積あたりのオン抵抗を低減することができる。
中低電圧トレンチ（Trench）MOSFETシリーズ 製品 は、N／P20V～100Vの電圧範囲をカバーする。さまざまな特定性能要件を満たすために、異なる設計方式が採用されている。 応用 各々のアプリケーションにおいて優れた性能を実現するためのフィールド。
製品の優位性および競争力
高いアバランチ耐量
強い衝撃に耐えます
充実した製品ラインナップ
主な応用分野
DC-DC変換機
充電器およびアダプター
リチウム電池保護
モータードライブ
同期整流
ロードスイッチ
平面型MOSFETの回路図
| 部品番号 |
iD(A) 25℃ |
RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V) |
RDS(ON)(mΩ) (VGS=4.5V) |
ポイントは (Vcs=10V) |
ポイントは (VGS=4.5V) |
VGS （V） |
VGs(しきい値) （V） |
パッケージ | ||
| タイプする | マックス。 | タイプする | マックス。 | タイプする | タイプする | タイプする | ||||
| 電圧レベル ：30V | ||||||||||
| LNNO3R040WE | 80 | 2.95 | 4 | 4.6 | 6.8 | 54 | -- | ±20 | 1.0-2.5 | DFN5×6 |
| LNNO3R050WE | 50 | 4.2 | 5 | -- | -- | 33.7 | -- | ±20 | 1.0-2.0 | DFN5×6 |
| LNNE03R078WE | 30 | 6.4 | 7.8 | 9.8 | 13 | 18.3 | -- | ±20 | 1.0-2.0 | DFN3×3 |
| 電圧レベル ：40v | ||||||||||
| LNC04R050 | 110 | 3.8 | 5 | 4.7 | 6.2 | 66.7 | -- | 20 | 1.5 | TO-220 |
| LNN04R050 | 80 | 3.8 | 5 | 4.7 | 6.2 | 66.7 | -- | 20 | 1.5 | DFN5×6 |
| LNN04R065WE | 55 | 4.8 | 6.5 | 6.8 | 9.5 | 54 | -- | ±20 | 1.1-2.2 | DFN5×6 |
| LNC04R075 | 60 | 5.6 | 7.5 | -- | -- | 51.2 | -- | ±20 | 1.5 | TO-220 |
| LNND04R120 | 20 | 7.5 | 12 | 9.5 | 16 | 25 | -- | ±20 | 1.5 | DFN5×6 |
| 電圧レベル ：60V | ||||||||||
| LNE06R079 | 90 | 6 | .5 7 | .9 7.6 | 9.5 | 69 | -- | 20 | 1.3 | TO-263 |
| 電圧レベル ：70V | ||||||||||
| LNG07R085H | 70 | 7.2 | 8.5 | -- | -- | 65.4 | -- | ±20 | 3 | TO-252 |
| LNE07R085H | 85 | 7.2 | 8.5 | -- | -- | 65.4 | -- | 20 | 3 | TO-263 |
よくある質問
Q : 私は電気機器メーカーですが、貴社製品をどのように選べばよいですか？
A: 適切な製品を選定することは、すべてのユーザーにとって極めて重要です。まず、ご使用される分野および必要とするIGBTの主要な仕様パラメーターを正確にお知らせください。そのうえで、お客様の要件に合致する製品をおすすめし、確認用の製品データシートをお送りいたします。
Q: 答えを 私はブランドオーナーですが、OEM対応は可能ですか？
A: はい、可能です。当社の全製品ラインナップから、OEMをご希望のモデルをお選びいただけます。カタログに掲載されていない製品につきましては、お客様の技術仕様に基づき、当社エンジニアが設計いたします。
その後、製造契約に署名してください。
お客様の製品にロゴを印刷する作業を当社に委託することもできますし、お客様ご自身で印刷作業を完了することも可能です。もちろん、当社にロゴの印刷を委託される場合は、当社に対して委任状を発行していただく必要があります。
Q：製品の品質はどのように保証されていますか？
A: 当社の製造工場には、完全な品質管理システムおよびトップクラスの品質検査実験室が整備されています。生産工程の重要な工程において、中間製品（半製品）に対し品質検査を実施し、出荷前に最終的なランダム検査を行っています。また、検査報告書および品質証明書も発行しています。
Q：供給する製品が正規・本物であることを、どのように保証されますか？
A: （1）当社工場は、製品の真偽について保証書に署名いたします。
（2）当社が輸出するすべてのロットには、中国税関が発行した原産地証明書が添付されます。 s. について
当社はIGBT製品の応用に注力しています。IGBTの応用を基盤として、当社は高級パワーアセンブリのカスタマイズという製品領域を拡大しました。同時に、当社の事業は自動化制御製品分野にも拡大しており、ADC／DAC、LDO、計測用増幅器（インストルメンテーション・アンプリファイア）、電磁リレー、フォトMOS、MOSFETなどを取り扱っています。
このようにして、当社は専門分野において中国のトップメーカーと協業し、お客様に信頼性が高くコストパフォーマンスに優れた製品を提供することができます。
革新と卓越性を理念として設立され、半導体代替ソリューションおよび技術の最先端に立っています。
私たちのビジョンは、中国製を通じて顧客に代替ソリューションを提供し、彼らのアプリケーションソリューションのコストパフォーマンスを向上させ、サプライチェーンの安全性を確保することです。
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