1200V、900A、1.8mΩ
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電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、産業オートメーション、先進電力電子機器の急速な発展に伴い、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体は、次世代高効率電源システムにおいて重要な技術となりつつあります。
従来のシリコンベースデバイスと比較して、SiCデバイスは、より高いスイッチング周波数、より低いスイッチング損失、より高い耐熱性、および向上した電力密度といったいくつかの技術的優位性を備えています。これらの特性により、システム効率の向上、エネルギー消費の削減、およびより小型・軽量なシステム設計の実現が可能になります。
高性能パワーセミコンダクタに対する市場需要の高まりに対応するため、当社は製品ポートフォリオを拡充し、SiC関連製品全般およびソリューションを展開しています。 製品 当社のSiC製品ラインには以下が含まれます：
SiC MOSFETモジュール
SiC MOSFET分立デバイス
SiCショットキーバリアダイオード（SBD）
フルSiCパワーソリューション
当社製品は、以下のような多様な産業および用途に適用可能です：
電気自動車（EV）
エネルギー貯蔵システム (ESS)
太陽光インバーター
産業用インバータおよびモータードライブ
EV充電システム
電源設備
産業自動化システム
鉄道および高電力産業用途
お客様は、性能、パッケージ形態、コスト最適化、および環境に関する要件が異なる場合があることを、当社は理解しています。 用途 そのため、標準製品に加えて、お客様のプロジェクト要件に応じた製品選定およびアプリケーション適合のサポートも行っています。
SiC技術が今後も進化し、世界市場でさらに広く採用されていく中、当社は世界中の顧客およびパートナーと協力し、将来のエネルギーおよび産業用途向けに信頼性・効率性に優れたSiCパワーセミコンダクタソリューションを提供していきます。
特長
用途
シンボル |
パラメータ |
バリュー |
単位 |
試験 条件 |
||
絶対最大 レーティング | ||||||
V Ds |
ドレイン-ソース間電圧 |
1200 |
V |
T C =25°C |
||
こ D |
ドレイン電流 （連続） |
900 |
A |
T C =25°C |
||
T J |
接合温度 |
175 |
。C |
|
||
シンボル |
パラメータ |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
試験 条件 |
静的特性 （％） | ||||||
バー DS(オン) |
静的ドレイン－ソースオン 耐性 |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V GS =18V; こ D =450A; T C =25°C |
動的特性 | ||||||
Q G |
ゲート全体 充電 |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800V; V GS =-5/+18V; こ D =450A; T C =25°C |
Q GD |
ゲート-ドレイン充電量 |
- |
705 |
- |
||
ソース・ドレインダイオード | ||||||
Q ロープ |
逆転回復 充電 |
- |
5517 |
- |
nC |
V GS =-5/+18V; こ F =500A; V バー =900V; 負荷=100µH; T J =25°C |
絶対値 最大の レーティング (at T C =25°C しない限り 違うなら 指定された )
| ED VDS：650～1700V、ID：210～1000A、RDS(on)：1.3～8.7mΩ | |||
| 製品SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID |
| SCE800N650ED | 650V | 1.5mΩ | 800A |
| SCE400N650ED | 650V | 3mΩ | 400A |
| SCE1P5N1200ED-A | 1200V | 1.3mΩ | 1000A |
| SCE1P5N1200ED-G | 1200V | 1.3mΩ | 1000A |
| SCE900N1200ED | 1200V | 1.8mΩ | 900A |
| SCE800N1200ED | 1200V | 2mΩ | 800A |
| SCE600N1200ED | 1200V | 2.7mΩ | 600A |
| SCR2P7N1200ED-X | 1200V | 2.7mΩ | 430A |
| SCE400N1200ED | 1200V | 4mΩ | 400A |
| SCE400N1200EDF | 1200V | 4mΩ | 400A |
| SCR4N1200ED-X | 1200V | 4mΩ | 400A |
| SCE300N1200ED | 1200V | 5.3mΩ | 300A |
| SCR8N1200ED | 1200V | 7.5mΩ | ロープ |
| SCR8N1200EDF | 1200V | 7.5mΩ | 試験用 |
| SCR2P2N1700ED-G | 1700V | 1.75mΩ | 1000A |
| SCE900N1700ED | 1700V | 2.8mΩ | 900A |
| SCE800N1700ED | 1700V | 3.2mΩ | 800A |
| SCE600N1700ED | 1700V | 4.3mΩ | 600A |
| SCE600N1700EDH | 1700V | 4.3mΩ | 600A |
| SCE500N1700ED | 1700V | 5.2mΩ | 500A |
| SCE400N1700ED | 1700V | 6.5mΩ | 400A |
| SCE300N1700ED | 1700V | 8.7mΩ | 300A |
| SCE300N1700ED | 1700V | 8.7mΩ | 300A |
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