GD75HFX170C1S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

150

A について

P D

最大 電力 散熱 @ T vj =175 o C

539

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

150

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

2.25

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =3.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

8.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

9.03

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.22

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.71

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =60 nH ,T vj =25 o C

237

nS

t r

昇る時間

59

nS

t 消して

切断する 遅延時間

314

nS

t f

秋の時間

361

nS

E on

オン スイッチング 損失

25.0

mJ

E オフ

切断する 損失

9.5

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =60 nH ,T vj =125 について o C

254

nS

t r

昇る時間

70

nS

t 消して

切断する 遅延時間

383

nS

t f

秋の時間

524

nS

E on

オン スイッチング 損失

33.3

mJ

E オフ

切断する 損失

15.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =60 nH ,T vj =150 について o C

257

nS

t r

昇る時間

75

nS

t 消して

切断する 遅延時間

396

nS

t f

秋の時間

588

nS

E on

オン スイッチング 損失

36.9

mJ

E オフ

切断する 損失

16.6

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C ,V CC =1000V

V 単数 ≤1700V

300

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =12 5o C

1.90

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

58

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

7.2

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =60 nH ,T vj =125 について o C

30.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

64

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

15.8

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =60 nH ,T vj =150 について o C

31.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

64

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

18.2

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

30

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.65

mΩ

R thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.278 0.467

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.160 0.268 0.050

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

150

g