GD100HHU120C6SD,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C @ T C =75主 C

146

100

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

200

A

P D

最大電源 消耗 @ T vj =150主 C

771

W

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

こ F

ダイオード 連続前向きCu rrent

100

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

200

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

150

主 C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+125

主 C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

こ C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25主 C

3.00

3.45

V

こ C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125主 C

3.80

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =4.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25主 C

4.5

5.5

6.5

V

こ CES

収集家 切断 -オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25主 C

5.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

6.50

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.42

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

1.10

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =100A, バー G =9.1Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48nH ,T vj =25主 C

38

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

330

nS

t f

秋の時間

27

nS

E を

オン スイッチング 損失

8.92

mJ

E オフ

切断する 損失

2.06

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =100A, バー G =9.1Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48nH ,T vj =125主 C

37

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

362

nS

t f

秋の時間

43

nS

E を

オン スイッチング 損失

10.7

mJ

E オフ

切断する 損失

3.69

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =125主 C ,V CC =900V V 単数 ≤1200V

650

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

こ F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25主 C

1.85

2.30

V

こ F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125主 C

1.90

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =25主 C

11.5

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

101

A

E レス

逆転回復 エネルギー

4.08

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =125主 C

19.0

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

120

A

E レス

逆転回復 エネルギー

7.47

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T vj =100 主 C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2- 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2- 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

21

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

2.60

mΩ

バー thJC

接合 -に -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.162 0.401

総量

バー thCH

事例 -に -シンク (perIGBT )

ケースからシンク (ダイオードごとに)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.051 0.125 0.009

総量

M

固定トーク 六角ボルトM6

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g