簡単な紹介
高速ターンオフサイリスタモジュール ,MK(H)x 400 MK 400,4 00A .空冷 冷却、TECHSEMによって製造されました。
VDRM,VRRM |
タイプとアウトライン |
|
800V |
試験用機種 |
MHx400-08-416F3 について |
1000V |
機体について |
MHx400-10-416F3 について |
1200V |
試験用機種 |
MHx400-12-416F3 について |
1400V |
試験用機種 |
MHx400-14-416F3 について |
1600V |
試験用機種 |
MHx400-16-416F3 について |
1800V |
試験用機種 |
MHx400-18-416F3 について |
特徴 :
典型的な用途
シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
||
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180。半シナス波 50Hz 片側冷却 Tc=85 °C |
125 |
|
|
400 |
A について |
IT(RMS) |
RMSオン状態電流 |
|
|
628 |
A について |
||
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
vDRMおよびVRRMで |
125 |
|
|
100 |
mA |
わかった ターミナル・マスク |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
|
8 |
kA |
わかった 2t |
融解調整のためのI2t |
|
|
320 |
A について 2s* 10 3 |
||
V オー |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
0.83 |
V |
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.72 |
mΩ |
||
V ティム |
ピークオン状態電圧 |
ITM= 1200A |
25 |
|
|
2.40 |
V |
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
Qrr |
リカバリーチャージ |
ITM=300A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V |
125 |
|
650 |
|
µC |
tq |
回路コミュテーションターンオフ時間 |
ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
35 |
µs |
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
ホールディング電流 |
10 |
|
200 |
mA |
||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.065 |
°C /W |
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.023 |
°C /W |
ヴィソ |
絶縁電圧 |
50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
Fm |
端子接続トルク(M10) |
|
|
|
12.0 |
|
N·m |
取り付けトルク(M6) |
|
|
|
6.0 |
|
N·m |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
115 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
115 |
°C |
ワット |
重量 |
|
|
|
1500 |
|
g |
概要 |
416F3 |
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