GD275MJS120L6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクタC 電流

275

A

わかった C

コレクタ電流 @ T C =100 o C

110

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった FN

実装されたフォワード電流 エント

275

A

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった FN

実装されたフォワード電流 エント

275

A

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

225

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった FN

実装されたフォワード電流 エント

275

A

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

3200

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

2.00

2.45

V

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.70

わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.90

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =9.00 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

1.7

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

38.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.66

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

2.52

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L S =36 nH ,T j =25 o C

154

nS

t r

昇る時間

45

nS

t 消して

切断する 遅延時間

340

nS

t f

秋の時間

76

nS

E on

オン スイッチング 損失

13.4

mJ

E オフ

切断する 損失

8.08

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L S =36 nH ,T j =125 について o C

160

nS

t r

昇る時間

49

nS

t 消して

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

112

nS

E on

オン スイッチング 損失

17.6

mJ

E オフ

切断する 損失

11.2

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L S =36 nH ,T j =150 について o C

163

nS

t r

昇る時間

51

nS

t 消して

切断する 遅延時間

397

nS

t f

秋の時間

114

nS

E on

オン スイッチング 損失

18.7

mJ

E オフ

切断する 損失

12.0

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.60

2.05

V

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.60

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

回復した 充電

V R =600V,I F =225A,

-di／dt=5350A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =36 nH ,T j =25 o C

20.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

250

A

E レス

逆転回復 エネルギー

6.84

mJ

Q r

回復した 充電

V R =600V,I F =225A,

-di／dt=5080A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =36 nH ,T j =125 について o C

32.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

277

A

E レス

逆転回復 エネルギー

11.5

mJ

Q r

回復した 充電

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =36 nH ,T j =150 について o C

39.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

288

A

E レス

逆転回復 エネルギー

14.0

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.60

2.05

V

わかった F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.60

わかった F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.60

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.60

2.05

V

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.60

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

回復した 充電

V R =600V,I F =225A,

-di／dt=5050A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =30 nH ,T j =25 o C

18.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

189

A

E レス

逆転回復 エネルギー

5.62

mJ

Q r

回復した 充電

V R =600V,I F =225A,

-di／dt=4720A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =30 nH ,T j =125 について o C

34.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

250

A

E レス

逆転回復 エネルギー

11.4

mJ

Q r

回復した 充電

V R =600V,I F =225A,

-di／dt=4720A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =30 nH ,T j =150 について o C

38.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

265

A

E レス

逆転回復 エネルギー

13.2

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

パワー消費

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

15

nH

R thJC

接合部からケース (T1ごと -T4 IGBT) 接合部からケース (D1／D4ごと ヨード) 接合部からケース (D2／D3ごと ヨード) 接合部からケース (D5／D6ごと ヨード)

0.070 0.122 0.156 0.122

総量

R thCH

ケースからヒートシンク (Tごと 1-T4 IGBT) ケースからヒートシンク (D1／D4ごと ダイオード) ケースからヒートシンク (D2／D3ごと ダイオード) ケースからヒートシンク (D5／D6ごと ダイオード)

0.043 0.053 0.069 0.053

総量

M

固定トーク ネジ:M5

3.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

250

g