GD275MJS120L6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクタC 電流

275

A

IC

コレクタ電流 @ T C=100o C

110

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IFN

実装されたフォワード電流 エント

275

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IFN

実装されたフォワード電流 エント

275

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

225

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IFN

実装されたフォワード電流 エント

275

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

3200

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.70

IC=225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.90

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=9.00mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.7

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

38.1

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.66

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

2.52

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=225A, バー G=2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L秒 =36nH ,T j =25o C

154

nS

t バー

昇る時間

45

nS

t 消して

切断する 遅延時間

340

nS

t f

秋の時間

76

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

13.4

mJ

Eオフ

切断する 損失

8.08

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=225A, バー G=2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L秒 =36nH ,T j =125o C

160

nS

t バー

昇る時間

49

nS

t 消して

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

112

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

17.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

11.2

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=225A, バー G=2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L秒 =36nH ,T j =150o C

163

nS

t バー

昇る時間

51

nS

t 消して

切断する 遅延時間

397

nS

t f

秋の時間

114

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

18.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

12.0

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.60

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =225A,

-di／dt=5350A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =36nH ,T j =25o C

20.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

250

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

6.84

mJ

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =225A,

-di／dt=5080A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =36nH ,T j =125o C

32.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

277

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

11.5

mJ

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =36nH ,T j =150o C

39.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

288

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

14.0

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.60

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.60

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =225A,

-di／dt=5050A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =30nH ,T j =25o C

18.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

189

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

5.62

mJ

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =225A,

-di／dt=4720A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =30nH ,T j =125o C

34.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

250

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

11.4

mJ

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =225A,

-di／dt=4720A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =30nH ,T j =150o C

38.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

265

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.2

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

パワー消費

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2—半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2—半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

15

nH

バー thJC

接合部からケース (T1ごと -T4 IGBT) 接合部からケース (D1／D4ごと ヨード) 接合部からケース (D2／D3ごと ヨード) 接合部からケース (D5／D6ごと ヨード)

0.070 0.122 0.156 0.122

総量

バー thCH

ケースからヒートシンク (Tごと 1-T4 IGBT) ケースからヒートシンク (D1／D4ごと ダイオード) ケースからヒートシンク (D2／D3ごと ダイオード) ケースからヒートシンク (D5／D6ごと ダイオード)

0.043 0.053 0.069 0.053

総量

分

固定トーク ネジ:M5

3.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

250

g