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IGBTモジュール、1200V 275A、パッケージ:L6
簡単な紹介
IGBT モジュール ,製造元 ストアパワー . 1200V 275A. 本当
特徴
典型的な用途
太陽光発電
3レベルアプリケーション
絶対値 最大 レーティング T F =25 o C しない限り 違うなら 記載
T1-T4 IGBT
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
わかった CN |
実装されたコレクタC 電流 |
275 |
A について |
わかった C |
コレクタ電流 @ T C =100 o C |
110 |
A について |
わかった Cm |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
450 |
A について |
D1/D4ダイオード
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V RRM |
繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢 |
1200 |
V |
わかった FN |
実装されたフォワード電流 エント |
275 |
A について |
わかった F |
ダイオード 連続前向きCu rrent |
300 |
A について |
わかった Fm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
450 |
A について |
D2/D3ダイオード
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V RRM |
繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢 |
1200 |
V |
わかった FN |
実装されたフォワード電流 エント |
275 |
A について |
わかった F |
ダイオード 連続前向きCu rrent |
225 |
A について |
わかった Fm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
450 |
A について |
D5/D6ダイオード
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V RRM |
繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢 |
1200 |
V |
わかった FN |
実装されたフォワード電流 エント |
275 |
A について |
わかった F |
ダイオード 連続前向きCu rrent |
300 |
A について |
わかった Fm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
450 |
A について |
モジュール
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
T jmax |
交差点最大温度 |
175 |
o C |
T ショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
o C |
T STG |
保管温度範囲 |
-40から+125 |
o C |
V ISO |
絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分 |
3200 |
V |
T1-T4 IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C |
|
2.70 |
|
|||
わかった C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C |
|
2.90 |
|
|||
V 遺伝子組み換え (tH ) |
ゲート発信者の限界値 圧力は |
わかった C =9.00 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
わかった CES |
収集家 カット -オフ 現在 |
V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
わかった 総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在 |
V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R ゲント |
内部ゲート抵抗 |
|
|
1.7 |
|
ω |
C ies |
入力容量 |
V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V |
|
38.1 |
|
ロープ |
C res |
逆転移転 容量 |
|
0.66 |
|
ロープ |
|
Q G |
ゲートチャージ |
V 遺伝子組み換え =-15...+15V |
|
2.52 |
|
微分 |
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L S =36 nH ,T j =25 o C |
|
154 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
45 |
|
nS |
|
t 消して |
切断する 遅延時間 |
|
340 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
76 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
13.4 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
8.08 |
|
mJ |
|
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L S =36 nH ,T j =125 について o C |
|
160 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
49 |
|
nS |
|
t 消して |
切断する 遅延時間 |
|
388 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
112 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
17.6 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
11.2 |
|
mJ |
|
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V 遺伝子組み換え =-8／+15V, L S =36 nH ,T j =150 について o C |
|
163 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
51 |
|
nS |
|
t 消して |
切断する 遅延時間 |
|
397 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
114 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
18.7 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
12.0 |
|
mJ |
D1／D4 ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C |
|
1.60 |
|
|||
わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
回復した 充電 |
V R =600V,I F =225A, -di／dt=5350A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =36 nH ,T j =25 o C |
|
20.1 |
|
微分 |
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
250 |
|
A について |
|
E レス |
逆転回復 エネルギー |
|
6.84 |
|
mJ |
|
Q r |
回復した 充電 |
V R =600V,I F =225A, -di／dt=5080A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =36 nH ,T j =125 について o C |
|
32.5 |
|
微分 |
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
277 |
|
A について |
|
E レス |
逆転回復 エネルギー |
|
11.5 |
|
mJ |
|
Q r |
回復した 充電 |
V R =600V,I F =225A, -di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =36 nH ,T j =150 について o C |
|
39.0 |
|
微分 |
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
288 |
|
A について |
|
E レス |
逆転回復 エネルギー |
|
14.0 |
|
mJ |
D2／D3 ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
わかった F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C |
|
1.60 |
|
|||
わかった F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
D5／D6 ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C |
|
1.60 |
|
|||
わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
回復した 充電 |
V R =600V,I F =225A, -di／dt=5050A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =30 nH ,T j =25 o C |
|
18.6 |
|
微分 |
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
189 |
|
A について |
|
E レス |
逆転回復 エネルギー |
|
5.62 |
|
mJ |
|
Q r |
回復した 充電 |
V R =600V,I F =225A, -di／dt=4720A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =30 nH ,T j =125 について o C |
|
34.1 |
|
微分 |
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
250 |
|
A について |
|
E レス |
逆転回復 エネルギー |
|
11.4 |
|
mJ |
|
Q r |
回復した 充電 |
V R =600V,I F =225A, -di／dt=4720A／μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =30 nH ,T j =150 について o C |
|
38.9 |
|
微分 |
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
265 |
|
A について |
|
E レス |
逆転回復 エネルギー |
|
13.2 |
|
mJ |
NTC 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
R 25 |
定数抵抗 |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
偏差 の R 100 |
T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
パワー消費 |
|
|
|
20.0 |
mW |
B について 25/50 |
B値 |
R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から |
|
3375 |
|
K |
B について 25/80 |
B値 |
R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から |
|
3411 |
|
K |
B について 25/100 |
B値 |
R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から |
|
3433 |
|
K |
モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
L CE |
流れる誘導力 |
|
15 |
|
nH |
|
R thJC |
接合部からケース (T1ごと -T4 IGBT) 接合部からケース (D1／D4ごと ヨード) 接合部からケース (D2／D3ごと ヨード) 接合部からケース (D5／D6ごと ヨード) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
総量 |
|
R thCH |
ケースからヒートシンク (Tごと 1-T4 IGBT) ケースからヒートシンク (D1／D4ごと ダイオード) ケースからヒートシンク (D2／D3ごと ダイオード) ケースからヒートシンク (D5／D6ごと ダイオード) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
総量 |
M |
固定トーク ネジ:M5 |
3.0 |
|
5.0 |
N.M<br> |
G |
重量 の モジュール |
|
250 |
|
g |
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