GD225HFX170C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C

@ T C = 100主 C

396

225

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

450

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175主 C

1530

W

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

V

こ F

ダイオード 連続前向き 賃貸

225

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

450

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

主 C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

主 C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.85

2.20

V

こ C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125主 C

2.25

こ C =225A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =9.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

5.6

6.2

6.8

V

こ CES

収集家 切断 -オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

5.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.8

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

27.1

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.66

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

2.12

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =225A, バー ゲン =3.3Ω バー ゲッフ =6.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V

T j =25主 C

187

nS

t バー

昇る時間

76

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

587

nS

t f

秋の時間

350

nS

E を

オン スイッチング

損失

56.1

mJ

E オフ

切断する

損失

52.3

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =225A, バー ゲン =3.3Ω バー ゲッフ =6.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V

T j = 125主 C

200

nS

t バー

昇る時間

85

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

693

nS

t f

秋の時間

662

nS

E を

オン スイッチング

損失

75.9

mJ

E オフ

切断する

損失

80.9

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =225A, バー ゲン =3.3Ω バー ゲッフ =6.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V

T j = 150主 C

208

nS

t バー

昇る時間

90

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

704

nS

t f

秋の時間

744

nS

E を

オン スイッチング

損失

82.8

mJ

E オフ

切断する

損失

87.7

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150主 C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

900

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.80

2.25

V

こ F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125主 C

1.90

こ F =225A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150主 C

1.95

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25主 C

63.0

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

352

A

E レス

逆転回復 エネルギー

37.4

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125主 C

107

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

394

A

E レス

逆転回復 エネルギー

71.0

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150主 C

121

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

385

A

E レス

逆転回復 エネルギー

82.8

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C = 100 主 C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2-

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2-

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.098

0.158

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.029

0.047

0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g