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| わかった T(AV) | 1260A | 
| V DRM バイト RRM | 1200V 1400V | 
| tq | 12~28µs | 
特徴
典型的な用途
| 
 シンボル | 
 特徴 | 
 試験条件 | Tj( °C ) | 価値 | 
 ユニット | |||
| ほんの少し | タイプ | マックス | ||||||
| IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う 半正弦波 50Hz 両面冷却、 | TC=55 。C | 125 | 
 | 
 | 1260 | A | 
| VDRM VRRM | 繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧 | tp=10ms | 125 | 1100 | 
 | 1400 | V | |
| Idrm Irrm | 繰り返しピークオフ状態電流 繰り返しピーク逆電流 | vDRMおよびVRRMで | 125 | 
 | 
 | 80 | mA | |
| ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM | 125 | 
 | 
 | 16.3 | kA | |
| ポイント | 融解調整のためのI2t | 
 | 
 | 1328 | A2s*103 | |||
| VTO | 限界電圧 | 
 | 125 | 
 | 
 | 1.65 | V | |
| ロープ | オン状態スロープ抵抗 | 
 | 
 | 0.36 | mΩ | |||
| VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=2400A, F=24kN | 25 | 
 | 
 | 3.20 | V | |
| dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 125 | 
 | 
 | 1000 | V/μs | |
| di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | VDM= 67%VDRM, to2000A ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A | 125 | 
 | 
 | 1500 | A/μs | |
| Qrr | リカバリーチャージ | ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V | 125 | 
 | 87 | 100 | µC | |
| tq | 回路コミュテーションターンオフ時間 | ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs | 125 | 12 | 
 | 28 | µs | |
| IGT | ゲートトリガ電流 | 
 VA=12V, IA=1A | 
 25 | 30 | 
 | 250 | mA | |
| Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 | 
 | 3.0 | V | |||
| IH | ホールディング電流 | 20 | 
 | 400 | mA | |||
| ラング | ラッチ電流 | 
 | 
 | 500 | mA | |||
| VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 | 
 | 
 | 0.3 | V | |
| Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 1800サイン波で、両面冷却、クランプ力 24kN | 
 | 
 | 
 | 0.020 | 
 。C /W | |
| Rth(c-h) | 熱吸収器の熱抵抗ケース | 
 | 
 | 
 | 0.005 | |||
| Fm | 取り付け力 | 
 | 
 | 19 | 
 | 26 | kN | |
| Tvj | 接合温度 | 
 | 
 | -40 | 
 | 125 | 。C | |
| ターゲット・ストーブ | 保存温度 | 
 | 
 | -40 | 
 | 140 | 。C | |
| ワット | 重量 | 
 | 
 | 
 | 440 | 
 | g | |
| 概要 | KT50cT | |||||||

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