GD600HFX120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

臨時ゲート発射電圧

±20

±30

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C

@ T C =90主 C

873

600

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1200

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175主 C

2727

W

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

こ F

ダイオード 連続前向きCu rrent

600

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1200

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

主 C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

主 C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.75

2.20

V

こ C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125主 C

2.00

こ C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

2.05

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

5.6

6.2

6.8

V

こ CES

収集家 切断 -オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

1.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

0.7

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

55.9

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.57

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

4.20

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =600A バー G =1.5Ω

,L S =34nH、V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25主 C

109

nS

t バー

昇る時間

62

nS

t 消して

切断する 遅延時間

469

nS

t f

秋の時間

68

nS

E を

オン スイッチング

損失

42.5

mJ

E オフ

切断する

損失

46.0

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =600A バー G =1.5Ω

L S =34nH ,

V 遺伝子組み換え =±15V,T j =125主 C

143

nS

t バー

昇る時間

62

nS

t 消して

切断する 遅延時間

597

nS

t f

秋の時間

107

nS

E を

オン スイッチング

損失

56.5

mJ

E オフ

切断する

損失

70.5

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =600A バー G =1.5Ω

L S =34nH ,

V 遺伝子組み換え =±15V,T j =150主 C

143

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

637

nS

t f

秋の時間

118

nS

E を

オン スイッチング

損失

61.2

mJ

E オフ

切断する

損失

77.8

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150主 C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2400

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.95

2.40

V

こ F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125主 C

2.05

こ F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150主 C

2.10

Q バー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt=4300A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V L S =34nH ,T j =25主 C

58.9

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

276

A

E レス

逆転回復 エネルギー

20.9

mJ

Q バー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt=4300A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V L S =34nH ,T j =125主 C

109

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

399

A

E レス

逆転回復 エネルギー

41.8

mJ

Q バー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt=4300A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V L S =34nH ,T j =150主 C

124

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

428

A

E レス

逆転回復 エネルギー

48.5

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.055

0.089

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.032

0.052

0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g