GD750HFA120C6S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

概要

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=100o C

750

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1500

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

3125

W

シンボル

概要

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

900

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1500

A

IFSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- 価値 ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

シンボル

概要

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメーター

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=750A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

1.55

IC=750A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.55

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

収集家 切断 -オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

0.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

85.2

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.45

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

6.15

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=750A,

バー G=0.5Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

nS

t バー

昇る時間

76

nS

t 消して

切断する 遅延時間

622

nS

t f

秋の時間

74

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

68.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

52.8

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=750A, バー G=0.5Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

nS

t バー

昇る時間

89

nS

t 消して

切断する 遅延時間

685

nS

t f

秋の時間

139

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

88.9

mJ

Eオフ

切断する 損失

67.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=750A, バー G=0.5Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

nS

t バー

昇る時間

95

nS

t 消して

切断する 遅延時間

715

nS

t f

秋の時間

166

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

102

mJ

Eオフ

切断する 損失

72.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤8μs, V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2500

A

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2400

A

シンボル

パラメーター

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =750A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

369

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

23.3

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

400

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

39.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

423

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

49.7

mJ

シンボル

パラメーター

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2- 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2- 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメーター

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.80

mΩ

バー thJC

接合 -～まで -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.048 0.088

総量

バー thCH

事例 -～まで -熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.028 0.051 0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g