GD2400SGX170C4S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =100 o C

2400

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

4800

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

13.7

kW

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

2400

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

4800

A

わかった FSM

サージ順方向電流 V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j =150 について o C

18.65 15.25

kA

わかった 2t

わかった 2t値,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C わかった 2t値,V R =0V,T p =10ms ,t j =150 について o C

1739

1162

kA 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.30

V

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =96.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 タンス

0.6

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

285

ロープ

C res

逆転移転 容量

7.13

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

23.5

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω L S =32 nH ,V 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

T j =25 o C

609

nS

t r

昇る時間

232

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1676

nS

t f

秋の時間

192

nS

E on

オン スイッチング 損失

784

mJ

E オフ

切断する 損失

785

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω L S =32 nH ,V 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

T j =125 について o C

732

nS

t r

昇る時間

280

nS

t 消して

切断する 遅延時間

2171

nS

t f

秋の時間

243

nS

E on

オン スイッチング 損失

1350

mJ

E オフ

切断する 損失

1083

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω L S =32 nH ,V 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

T j =150 について o C

772

nS

t r

昇る時間

298

nS

t 消して

切断する 遅延時間

2294

nS

t f

秋の時間

298

nS

E on

オン スイッチング 損失

1533

mJ

E オフ

切断する 損失

1126

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

10.5

kA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 25o C

1.80

2.25

V

わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について o C

1.90

わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =2400A,

-di/dt=9570A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L S =32 nH ,T j =25 o C

243

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1656

A

E レス

逆転回復 エネルギー

274

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =2400A,

-di/dt=7500A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L S =32 nH ,T j =125 について o C

425

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1692

A

E レス

逆転回復 エネルギー

438

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =2400A,

-di/dt=6990A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L S =32 nH ,T j =150 について o C

534

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1809

A

E レス

逆転回復 エネルギー

563

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

6.0

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.10

mΩ

R thJC

接合 -〜に至るまで -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

10.9 20.9

電力量

R thCH

事例 -〜に至るまで -熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

6.1 11.7 4.0

電力量

d クリーپ

端子からヒートシンクへ 端子間

32.2 32.2

mm

d 明確

端子からヒートシンクへ 端子間

19.1 19.1

mm

M

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1500

g